[發(fā)明專利]對RF設(shè)備進(jìn)行鍍金屬的方法以及用于該方法的濺鍍裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110332603.8 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN102453874A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭銘峻;金明浩;鄭賢泳;吳世英 | 申請(專利權(quán))人: | ACE技術(shù)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | rf 設(shè)備 進(jìn)行 鍍金 方法 以及 用于 裝置 | ||
1.一種用于對RF設(shè)備進(jìn)行鍍金屬的濺鍍裝置,包括:
放置所述RF設(shè)備的被鍍金屬體的支撐部;
由用于對所述被鍍金屬體進(jìn)行鍍金屬的材料形成的第一靶子;以及
與所述第一靶子分開排列的第二靶子,
其中,對所述被鍍金屬體進(jìn)行鍍金屬時(shí),分別向所述第一靶子和所述第二靶子供給電力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,所述第一靶子和所述第二靶子呈八子形地設(shè)置在所述RF設(shè)備的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,所述RF設(shè)備為腔體濾波器,從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在腔體內(nèi)的底面和側(cè)面,
其中,所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,所述靶子由同一物質(zhì)形成,并且所述靶子由銀或者銅形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,在鍍金屬工序期間供給至所述被鍍金屬體的偏置電壓發(fā)生變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,所述第一靶子和所述第二靶子中的至少一個(gè)為圓柱形或者五角以上的多角形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置,其中,所述支撐部具有與所述被鍍金屬體的側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部,
其中,所述彎曲部形成有至少一個(gè)電極,通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
8.一種用于對RF設(shè)備進(jìn)行鍍金屬的濺鍍裝置,包括:
所述RF設(shè)備的被鍍金屬體放置的支撐部;以及
面向所述支撐部,并且由用于對所述被鍍金屬體進(jìn)行鍍金屬的材料形成的靶子,
其中,在鍍金屬工序期間所述靶子和所述被鍍金屬體中的至少一個(gè)上下?lián)u擺。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置,其中,所述RF設(shè)備為腔體濾波器,從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在腔體內(nèi)的底面以及側(cè)面,
其中,所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下,并且所述靶子由銀或者銅形成。
10.根根權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置,其中,在鍍金屬工序期間供給至所述被鍍金屬體的偏置電壓發(fā)生變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置,其中,所述靶子為圓柱形或者五角以上的多角形。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺鍍裝置,其中,所述支撐部具有與所述被鍍金屬體側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部,
其中,所述彎曲部形成有至少一個(gè)電極,通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
13.一種利用具有支撐部和靶子的濺鍍裝置對RF設(shè)備進(jìn)行鍍金屬的方法,包括:
通過所述支撐部向用于所述RF設(shè)備的被鍍金屬體供給第一電壓且向所述靶子供給預(yù)定電力;以及
向所述被鍍金屬體供給所述第一電壓并經(jīng)過預(yù)定時(shí)間后,向所述被鍍金屬體供給第二電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,所述第二電壓比所述第一電壓低,在整個(gè)工序時(shí)間中一半時(shí)間向所述被鍍金屬體供給所述第一電壓,剩余一半時(shí)間向所述被鍍金屬體供給所述第二電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述RF設(shè)備為腔體濾波器,從所述靶子分離的鍍金屬物質(zhì)沉積在所述腔體內(nèi)的底面和側(cè)面,
其中,所述底面以及所述側(cè)面的最大厚度偏差為3倍以下,所述靶子由銀或者銅形成,并且所述靶子為圓柱形或者五角以上的多角形。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,采用多個(gè)靶子,并且向所述多個(gè)靶子供給相同的電力。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,所述靶子或者所述被鍍金屬體上下?lián)u擺,所述支撐部具有與所述被鍍金屬體的側(cè)面相對應(yīng)的彎曲部,
其中,所述彎曲部形成有至少一個(gè)電極,通過所述電極向所述被鍍金屬體供給預(yù)定電源。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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