[發明專利]使用偽連接的中介層測試有效
| 申請號: | 201110332294.4 | 申請日: | 2011-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN102800653A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | 陸湘臺;林志賢;洪偉碩 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/544 | 分類號: | H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 連接 中介 測試 | ||
技術領域
本方法涉及一種互連元件,具體來說涉及一種帶有偽部件的互連元件。
背景技術
在三維集成電路中,中介層(inerposer)用于接合位于其上方的器件。中介層通常是無源中介層,其中,在中介層中沒有諸如晶體管的有源器件形成。襯底通孔(TSV)用于在中介層的一側和相對側之間形成電連接。另外,在中介層的一側或者兩側上可以存在有金屬布線層,該金屬布線層用于將中介層的表面上的焊料凸塊電連接至TSV,并且用于將焊料凸塊電互連。
通常,由于在中介層接合至其他封裝元件之前,中介層中的連接通常是開路連接,因此難以有效地測試中介層。盡管可以形成附加測試結構,并將其附接到中介層以提供回路,但是這樣會由于形成了具有回路結構的附加器件而產生了成本。
發明內容
為了解決本發明的技術問題,根據本發明的一個方面,提供了一種電路結構,包括:互連元件,該互連元件包括:襯底;有源襯底通孔(TSV),穿透所述襯底;有源金屬連接件,位于所述襯底上方,并且電連接至所述有源TSV;以及
偽焊盤和偽焊料凸塊中的至少一種,位于所述互連元件的表面上,其中,所述偽焊盤位于所述襯底上方,并且電連接至所述有源TSV和所述有源金屬連接件,其中,所述偽焊料凸塊位于所述襯底下方,并且電連接至所述有源金屬連接件,并且其中,所述偽焊盤和所述偽焊料凸塊是末端開路的。
在該電路結構中,其中,所述互連元件包括所述偽焊盤。
在該電路結構中,其中,所述互連元件包括所述偽焊盤,并且該電路結構進一步包括:封裝元件,接合至所述互連元件,其中,所述封裝元件和所述偽焊盤位于所述互連元件的相同側,并且其中,所述封裝元件沒有覆蓋所述偽焊盤。
在該電路結構中,進一步包括:封裝元件,接合至所述互連元件,其中,所述封裝元件和所述偽焊料凸塊位于所述互連元件的相同側上,其中,所述互連元件包括所述偽焊料凸塊,所述偽焊料凸塊在物理上位于所述互連元件的所述襯底和所述封裝元件之間,并且其中,所述偽焊料凸塊沒有電連接至所述封裝元件中的任何導電部件。
在該電路結構中,進一步包括:封裝元件,接合至所述互連元件,其中,所述封裝元件和所述偽焊料凸塊位于所述互連元件的相同側上,其中,所述互連元件包括所述偽焊料凸塊,所述偽焊料凸塊在物理上位于所述互連元件的所述襯底和所述封裝元件之間,并且其中,所述偽焊料凸塊沒有電連接至所述封裝元件中的任何導電部件,該電路結構進一步包括:偽TSV,位于所述襯底中,并且電連接在所述偽焊料凸塊和所述有源金屬連接件之間。
在該電路結構中,進一步包括:封裝元件,接合至所述互連元件,其中,所述封裝元件和所述偽焊料凸塊位于所述互連元件的相同側上,其中,所述互連元件包括所述偽焊料凸塊,所述偽焊料凸塊在物理上位于所述互連元件的所述襯底和所述封裝元件之間,并且其中,所述偽焊料凸塊沒有電連接至所述封裝元件中的任何導電部件,該電路結構進一步包括:偽再分布線(RDL),將所述偽焊料凸塊連接至所述有源TSV,其中,所述偽RDL和所述有源金屬連接件位于所述襯底的相對側上。
在該電路結構中,其中,所述偽焊盤和所述偽焊料凸塊中的至少一種被配置為當所述電路結構通電時不能傳導任何電流穿過所述偽焊盤和所述偽焊料凸塊中的所述至少一種。
在該電路結構中,其中,所述互連元件包括所述偽焊盤,并且不包括所述偽焊料凸塊,并且其中,所述互連元件進一步包括:偽TSV,位于所述襯底中,其中,所述襯底是半導體襯底;重摻雜區域,位于所述襯底中,其中,所述有源TSV和所述偽TSV中的每一個都電連接至所述重摻雜區域之一;以及附加偽焊盤,電連接至所述偽TSV。
根據本發明的另一個方面,提供了一種電路結構,包括:中介層,在所述中介層中沒有有源器件,其中,所述中介層包括:襯底;有源襯底通孔(TSV)和偽TSV,穿透所述襯底;有源金屬連接件,將所述有源TSV和所述偽TSV電互連;偽焊盤,被配置為用作所述襯底的第一面上的探針焊盤,其中,所述偽焊盤電連接至所述有源金屬連接件;以及偽焊料凸塊,位于所述襯底的第二面上,并且電連接至所述有源TSV和所述有源金屬連接件,其中,所述偽焊盤和所述偽焊料凸塊位于所述中介層的相對面上;第一封裝元件,接合至所述中介層的所述第一面;以及第二封裝元件,接合至所述中介層的所述第二面,其中,所述偽焊料凸塊位于所述中介層和所述第二封裝元件之間,并且沒有電連接至所述封裝元件內的導電部件。
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