[發明專利]半導體存儲器器件和半導體存儲器系統

無效

• 申請號: 201110331981.4
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN102456390A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 金秀娥;樸哲佑;黃泓善;柳鶴洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;G11C7/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉虹

1.一種半導體存儲器器件，包括：

多個存儲單元塊，所述多個存儲單元塊中的每個存儲單元塊具有包含與第一位線連接的第一存儲單元的第一區域以及包含與第二位線連接的第二存儲單元的第二區域；

多個位線讀出放大器，所述多個位線讀出放大器中的每個多個位線讀出放大器與所述多個存儲單元塊中對應的存儲單元塊的第一存儲單元或第二存儲單元連接；以及

多個連接單元，所述多個連接單元中的每個連接單元被配置為基于第一控制信號將第一位線與對應的位線讀出放大器選擇性地連接，并且基于第二控制信號將第二位線與對應的位線讀出放大器經由對應的全局位線選擇性地連接，其中

所述多個存儲單元塊中的每個存儲單元塊的第一區域和第二區域在第一方向上彼此交疊，以及

所述多個存儲單元塊中的每個存儲單元塊的第一區域和第二區域在第二方向上被彼此相鄰地布置。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，其中，第一方向不與第二方向平行。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，其中，第一方向與第二方向垂直。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，其中，第一方向是類似列的方向，且第二方向是類似行的方向。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，還包括：

作為局部位線的多條第一位線和多條第二位線，其中

多條全局位線之間的間距是局部位線之間的間距的兩倍。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，其中，全局位線處于與在第一方向上相鄰的第一位線和第二位線之間的位置對應的位置處。

7.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，其中，全局位線是金屬線。

8.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，還包括：

至少一個控制信號生成單元，被配置為基于行地址生成第一控制信號和第二控制信號。

9.如權利要求8所述的半導體存儲器器件，其中，所述至少一個控制信號生成單元被進一步配置為：

在被使能的字線與對應的第一存儲單元連接時生成具有第一電壓的第一控制信號；

在被使能的字線未與對應的第一存儲單元連接時生成具有第二電壓的第一控制信號；

在被使能的字線與對應的第二存儲單元連接時生成具有第一電壓的第二控制信號；以及

在被使能的字線未與對應的第二存儲單元連接時生成具有第二電壓的第二控制信號。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器器件，其中，所述多個連接單元中的每個連接單元被進一步配置為：

響應于具有第一電壓的第一控制信號，將第一位線與對應的位線讀出放大器連接；

響應于具有第二電壓的第一控制信號，將第一位線從對應的位線讀出放大器斷開連接；

響應于具有第一電壓的第二控制信號，將第二位線與對應的位線讀出放大器經由對應的全局位線連接；以及

響應于具有第二電壓的第二控制信號，將第二位線與對應的位線讀出放大器之一從對應的全局位線斷開連接。

11.如權利要求10所述的半導體存儲器器件，其中，所述至少一個控制信號生成單元被進一步配置為：在所述半導體存儲器器件執行預充電操作時生成具有第三電壓的第一控制信號和第二控制信號。

12.如權利要求11所述的半導體存儲器器件，其中，第一電壓高于第二電壓和第三電壓，且第三電壓高于第二電壓。

13.如權利要求8所述的半導體存儲器器件，其中，所述至少一個控制信號生成單元包括：

至少一個信號發生器，被配置為生成第一控制信號或第二控制信號，所述至少一個信號發生器包括：

譯碼單元，被配置為通過對行地址進行譯碼而生成譯碼后的行地址；

第一電壓控制器，被配置為基于所述譯碼后的行地址控制第一控制信號或第二控制信號以具有第一電壓；

第二電壓控制器，被配置為基于所述譯碼后的行地址控制第一控制信號或第二控制信號以具有第二電壓；以及

第三電壓控制器，被配置為在所述半導體存儲器器件執行預充電操作時，響應于被使能的預充電使能信號控制第一控制信號或第二控制信號以具有第三電壓。