[發明專利]C波段低插損高次諧波抑制微型帶通濾波器無效
| 申請號: | 201110331730.6 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN102509829A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 戴永勝;漢敏;戚湧;尹洪浩;李平;謝秋月;韓群飛;馮媛;左同生;孫宏途 | 申請(專利權)人: | 無錫南理工科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/212 | 分類號: | H01P1/212 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 朱顯國 |
| 地址: | 214192 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波段 低插損高次 諧波 抑制 微型 帶通濾波器 | ||
技術領域
本發明涉及一種濾波器,特別是一種C波段低插損高次諧波抑制微型帶通濾波器。
背景技術
微電子信息技術的迅猛發展,電子整機、通訊類產品迅速向小、輕、薄的方向發展,促使了電子元件也趨于微型化、集成化和高頻化。此外,隨著通信技術的發展,頻率資源日益緊張,分配到各類通信頻段的信道間隔越來越密,造成系統問的信號干擾越來越多。為了降低系統對信號的衰減,抑制各種干擾信號,研制帶窄、體積小、帶外高次諧波抑制度高的濾波器成為國內外研究的熱點。以低溫共燒陶瓷技術(Low?Temperature?Co-fired?Ceramic,LTCC)為基礎的層疊結構具有體積小、成本低、性能可靠等優點,在濾波器、振蕩器、混頻器、天線等方面獲得了廣泛應用。?本項目是基于LTCC工藝,研制適于工程需要的微型帶通濾波器,描述這種部件性能的主要技術指標有:通帶工作頻率范圍、阻帶頻率范圍、通帶輸入/輸出電壓駐波比、通帶插入損耗、阻帶衰減、形狀因子、插入相移和時延頻率特性、溫度穩定性、體積、重量、可靠性等。常規的濾波器設計方法,如發夾型濾波器結構、諧振腔濾波器結構和同軸線濾波器結構等體積和插入損耗較大,在許多應用場合(如:機載、彈載、宇航通信、手持無線終端、單兵移動通信終端等)均受到很大限制。
發明內容
本發明的目的在于提供體積小、重量輕、可靠性高、電性能優異、結構簡單、成品率高、批量一致性好、造價低、溫度性能穩定、相位頻率特性線性變化的低并且高次諧波抑制優良的微型帶通濾波器。
實現本發明目的的技術方案是:一種的C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器,包括表面安裝的50歐姆阻抗輸入端口、輸入諧振級、第一級并聯諧振單元、第一零點設置電路、第二級并聯諧振單元、第二零點設置電路、第三級并聯諧振單元、第三零點設置電路、第四級并聯諧振單元、第四零點設置電路、第五級并聯諧振單元、輸出諧振級、第一耦合電容、第二耦合電容、表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口和接地端,輸入端口與輸出端口之間并聯輸入諧振級、第一級并聯諧振單元、第二級并聯諧振單元、第三級并聯諧振單元、第四級并聯諧振單元、第五級并聯諧振單元和輸出諧振級,在第一級并聯諧振單元與第二級并聯諧振單元之間串聯第一零點設置電路;第二級并聯諧振單元與第三級并聯諧振單元之間串聯第二零點設置電路;第三級并聯諧振單元與第四級并聯諧振單元之間串聯第三零點設置電路;第四級并聯諧振單元與第五級并聯諧振單元之間串聯第四零點設置電路,第一級并聯諧振回路與第三級并聯諧振回路之間串聯第一耦合電容C8,第三級并聯諧振回路與第五級并聯諧振回路之間串聯第二耦合電容C9;所述的輸入諧振級、第一級并聯諧振單元、第二級并聯諧振單元、第三級并聯諧振單元第四級并聯諧振單元、第五級并聯諧振單元、輸出諧振級分別接地。
本發明與現有技術相比,由于采用低損耗低溫共燒陶瓷材料和三維立體集成以及立體折疊帶狀線實現并聯諧振單元和零點設置電路,所帶來的顯著優點是:(1)通帶內損耗低、帶外抑制高、高次諧波抑制好;(2)體積小、重量輕、可靠性高;(3)電性能優異,相位頻率特性線性變化;(4)電性能溫度穩定性高;(5)電路實現結構簡單;(6)電性能一致性好,可實現大批量生產;(7)成本低;(8)使用安裝方便,可以用全自動貼片機安裝和焊接;(9)特別適用于火箭、機載、彈載、宇宙飛船、單兵移動通信終端等無線通信手持終端中,以及對體積、重量、性能、可靠性有苛刻要求的相應系統中。?
附圖說明
圖1是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的原理圖。
圖2是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的外形及內部結構示意圖。
圖3是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的并聯諧振單元結構示意圖。
圖4是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器輸入諧振級示意圖。
圖5是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的輸出諧振級示意圖。
圖6是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的為實現第一耦合電容C8所采用的介質平板“Z”字形電容示意圖。
圖7是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的為實現第二耦合電容C9所采用的介質平板“Z”字形電容示意圖。
圖6是本發明C波段低插損高次諧波抑制微型濾波器的主要性能仿真結果。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步詳細描述。
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