[發明專利]一種減小功率VDMOSFET導通電阻的方法無效
| 申請號： | 201110331186.5 | 申請日： | 2011-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN102361012A | 公開（公告）日： | 2012-02-22 |
| 發明（設計）人： | 林康生;陳品霞 | 申請（專利權）人： | 博嘉圣（福州）微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 功率 vdmosfet 通電 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種減小功率VDMOSFET導通電阻的方法，包括窗口擴散區長度Lw和多晶硅柵長度Lp的確定，其特征在于：首先，取得式（1）和式（2）中Lw的較大值作為窗口擴散區長度，?
Lw=a+26+2c??(1)
Lw=a+6+1.6xjp??(2)
式中，a為光刻最小光刻線寬，b為套刻精度，c為多晶硅與引線孔最小間距，xjp為P一區結深；
其次，根據確定的窗口擴散區長度Lw，在VDM0SFET的特征電阻尺隨多晶硅柵長度大小的變化曲線上確認Lp的最佳值。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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