[發明專利]一種共沉淀法制備Gd2Zr2O7納米粉體的方法無效
| 申請號: | 201110331141.8 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN102502816A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 馬偉民;李權;馬雷;趙翔;張倩 | 申請(專利權)人: | 沈陽化工大學 |
| 主分類號: | C01G25/00 | 分類號: | C01G25/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 沈陽技聯專利代理有限公司 21205 | 代理人: | 張志剛 |
| 地址: | 110142 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 共沉淀 法制 gd sub zr 納米 方法 | ||
1.一種共沉淀法制備Gd2Zr2O7納米粉體的方法,其特征在于,所述方法包括如下制備步驟:配置溶液按Gd2Zr2O7組分準確稱取稀土氧化物Gd2O3、ZrOCl2·8H2O,并溶于濃硝酸中,加入蒸餾水,配置成稀土溶液,稀土溶液的初始濃度為0.01~1mol/L;沉淀劑氨水的濃度為0.1~6mol/L;將沉淀劑氨水配置成稀氨水;再制備前驅體,將上述配置好的稀土溶液滴加到沉淀劑中,得到的先驅沉淀物經時效,清洗,過濾,烘干,過篩得前驅體粉末;滴定時,環境溫度為0~20℃,滴定速度為1~5ml/min,沉淀完全后調節體系的PH為9~13,時效0~12h?,干燥的溫度和時間分別為70~100℃和8~24?h,然后將前驅體煅燒,球磨后即得到粉體樣品。
2.根據權利要求1所述的一種共沉淀法制備Gd2Zr2O7納米粉體的方法,其特征在于,所述的前驅體煅燒采用弱還原性氣氛,煅燒溫度和保溫時間分別為600~1100℃和1~6h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于沈陽化工大學,未經沈陽化工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110331141.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





