[發(fā)明專利]太陽能電池表面電極的制備工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110330897.0 | 申請日: | 2011-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN102364701A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邢政;王榮新;張寶順;楊輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 表面 電極 制備 工藝 | ||
1.一種太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,該工藝為:在太陽能電池采光面上覆設(shè)石墨烯薄膜,并在靠近太陽能電池邊緣的選定區(qū)域上形成外引線黏附材料層,而后在該選定區(qū)域引出外引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述石墨烯薄膜是由直接生長于太陽能電池采光面上的或由外部直接或間接轉(zhuǎn)移至太陽能電池采光面上的石墨烯材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述石墨烯材料的直接轉(zhuǎn)移方法為:
將太陽能電池襯底浸潤到石墨烯懸濁液中或伴以超聲以加強(qiáng)粘附,再取出烘干。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述石墨烯材料的直接轉(zhuǎn)移方法為:
將石墨烯利用黏附轉(zhuǎn)移的方法固定在太陽電池采光面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2?、3或4所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述石墨烯材料的制備工藝為:首先在主要由強(qiáng)氧化劑與強(qiáng)酸形成的膠體體系中加入天然石墨或人造石墨反應(yīng)后得到氧化石墨,其后利用溶劑熱還原法或熱膨脹還原得到石墨烯;
所述強(qiáng)氧化劑至少選自氯酸鉀和/或高錳酸鉀;
所述強(qiáng)酸至少選自濃硫酸、濃硝酸和濃鹽酸中的任意一種;
所述溶劑熱還原法中采用乙醇作為溶劑,反應(yīng)溫度為20℃-900℃;
所述熱膨脹還原法是在溫度為100℃-1200℃的條件下進(jìn)行的,且其中快速熱膨脹剝離石墨的操作是在1-30min內(nèi)完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,?所述太陽能電池是由Si、Ge、Cu、In、Ti、III族、V族、II族、VI族中的任意一種或兩種以上的組合構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述太陽能電池的結(jié)構(gòu)形式選自一個或一個以上的PN結(jié)、PIN單結(jié)、PIN結(jié)疊層多端連接結(jié)構(gòu)以及雙結(jié)級聯(lián)和多結(jié)級聯(lián)的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池表面電極的制備工藝,其特征在于,所述外引線黏附材料層是采用物理或化學(xué)沉積方法制備的、厚1nm~5mm的無機(jī)導(dǎo)電材料和/或有機(jī)導(dǎo)電材料層,所述物理或化學(xué)沉積方法至少選自蒸發(fā)、濺射、激光沉積、旋涂、印刷、噴涂、CVD、PVD、VPD、化學(xué)水熱、化學(xué)微乳膠、化學(xué)溶膠凝膠、化學(xué)液相沉積中的任意一種或兩種以上的組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110330897.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





