[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110330881.X
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN102324454A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 歐震;徐宸科;莊家銘
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種發光元件的制造方法，包含：

提供基板；

形成半導體疊層于該基板上方，該半導體疊層包含p型半導體層、n型半導體層、及位于該p型半導體層與該n型半導體層間的發光層；

形成晶種層于該p型半導體層與該n型半導體層中至少其中之一的上方；以及

形成化鍍層于該晶種層上方，該化鍍層上表面的粗糙度小于該半導體疊層上表面的粗糙度。

2.如權利要求1所述的發光元件的制造方法：

其中形成該晶種層之方法包括物理鍍膜法，以及形成該化鍍層之方法包括化學鍍膜法。

3.如權利要求2所述的發光元件，其中該物理鍍膜法包括熱蒸鍍法、電子束蒸鍍及離子濺鍍法；以及其中該化學鍍膜法包括電鍍法或無電電鍍法。

4.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中還包括粗化該半導體疊層、該晶種層或該化鍍層其中至少一層的上表面，其中該粗化結構可利用外延或化學蝕刻方式形成。

5.一種發光元件，包含：

基板；

半導體疊層，位于該基板之上，其中該半導體疊層包含p型半導體層、n型半導體層、及位于該p型半導體層與該n型半導體層間的發光層；以及

焊墊，位于該p型半導體層與該n型半導體層中至少其中之一的上方，其中該焊墊包含晶種層與化鍍層，且該化鍍層上表面的粗糙度小于該半導體疊層上表面的粗糙度。

6.如權利要求5所述的發光元件，其中該晶種層的厚度為該化鍍層的厚度為0.5μm～3μm。

7.如權利要求5所述的發光元件，其中該晶種層或該化鍍層的材料為金、銅、鎳或鋁。

8.如權利要求5所述的發光元件，其中該晶種層或該化鍍層為多層結構。

9.如權利要求5所述的發光元件，其中該晶種層的面積與該化鍍層的面積不同。

10.如權利要求5所述的發光元件，其中該半導體疊層、該晶種層或該化鍍層其中至少一層的上表面為粗化結構。

11.如權利要求5所述的發光元件，其中該晶種層的上表面粗糙度小于該半導體疊層上表面的粗糙度。