[發明專利]一種簡易納米級PSS襯底制備方法

有效

• 申請號: 201110330647.7
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN102368518A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 周武;羅紅波;張建寶;劉榕
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 胡里程

1.一種簡易納米級PSS襯底制備方法，制備步驟如下：

??(a)?藍寶石襯底上沉積一層SiO2膜；

??(b)?在SiO2膜上沉積一層?ITO或ZnO；

(c)?將步驟b沉積一層?ITO或ZnO的襯底放入退火爐中，進行退火，SiO2膜表面上生成均勻的ITO或ZnO晶粒；

(d)在c步退火作用后，再干法刻蝕掉未能被ITO或ZnO顆粒擋住的SiO2膜,?將均勻的納米狀的ITO或ZnO顆粒圖形轉移到SiO2膜層，形成納米狀的SiO2顆粒；

(e)在d步驟后再放入高溫的硫酸與磷酸混合溶液中腐蝕掉未被SiO2顆粒擋住的藍寶襯底；

(f)在e步驟后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成納米級PSS襯底。

2.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：（a）步驟藍寶石襯底上用PECVD設備沉積一層SiO₂膜，厚度2000～5000埃。

3.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：（b）步驟在SiO₂膜上蒸發一層ITO或ZnO，厚度1000～3000埃。

4.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：（c）步驟將步驟b蒸發一層ITO或ZnO的襯底300～600℃退火爐中進行退火0.5～2?小時，SiO₂膜表面上生成均勻的ITO或ZnO晶粒。

5.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：（d）在c步驟化學作用后，再RIE設備??參數：CF4:30～60sccm;反應壓力：20～100mTorr；功率：300～500W,?刻蝕時間：10～30分鐘，刻蝕掉未能被未能被ITO或ZnO顆粒擋住的SiO₂膜,?均勻的納米狀ITO或ZnO顆粒圖形轉移到SiO₂膜層;，形成納米狀的SiO₂顆粒。

6.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：(e)在d步驟后再放入230～350℃溫度的硫酸與磷酸混合溶液中H₂SO₄:?H₃PO₄=3:1腐蝕約10～30分鐘，腐蝕掉未被SiO₂顆粒擋住的藍寶襯底。

7.根據權利要求1所述的簡易納米級PSS襯底制備方法，其特征在于：?(f)在e步驟后用HF酸腐蝕10～30分鐘，去掉SiO2掩膜，形成納米級PSS襯底。