[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110330443.3
• 申請日: 2002-11-09
• 公開（公告）號: CN102354709A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 宇田川誠;早川昌彥;小山潤;納光明;安西彩
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.一種具有發光元件的發光器件，發光元件包括：

陰極；

與陰極接觸的有機化合物層；和

與有機化合物層接觸的陽極；

其中，連接到發光元件的TFT的溝道寬度W與其溝道長度L之比是0.1到0.01。

2.根據權利要求1的發光器件，其中連接到發光元件的TFT是p-溝道型TFT或n-溝道型TFT。

3.根據權利要求1的發光器件，其中連接到發光元件的TFT，在源-漏電壓Vd和閾值電壓Vth之和大于柵壓Vg的范圍內，具有溝道電導gd從0到1×10^-8S。

4.根據權利要求1的發光器件，其中連接到發光元件的TFT，在源-漏電壓Vd和閾值電壓Vth之和大于柵壓Vg的范圍內，具有的溝道電導是從0到5×10^-9S。

5.根據權利要求1的發光器件，其中發光器件被組合在選自由個人計算機，攝象機，移動計算機，護目鏡型顯示器，記錄媒介，數字照相機，移動電話和顯示器的組成的組中選擇的電子設備中。

6.一種發光器件，包括：

一發光元件，它包括陰極，與陰極接觸的有機化合物層，和與有機化合物層接觸的陽極；

連接到發光元件的TFT，

其中TFT包括：

半導體層，它包括一矩形形狀的溝道區和至少一對雜質區；

一形成在矩形形狀溝道區上的柵絕緣膜；

一形成在柵絕緣膜上的柵電極，

其中矩形形狀溝道區的溝道寬度W與矩形形狀溝道區的溝道長度L之比為0.1到0.01。

7.根據權利要求6的發光器件，其中連接到發光元件的TFT是p溝道型TFT或n溝道型TFT。

8.根據權利要求6的發光器件，其中連接到發光元件的TFT，在源-漏電壓Vd和閾值電壓Vth之和大于柵壓Vg的范圍內，溝道電導gd是從0到1×10^-8S。

9.根據權利要求6的發光器件，其中連接到發光元件的TFT，在源-漏電壓Vd和閾值電壓Vth之和大于柵壓Vg的范圍內，溝道電導gd是從0到5×10^-9S。

10.根據權利要求6的發光器件，其中，發光器件組合在選自由個人計算機，攝象機，移動計算機，護目型顯示器，記錄媒介，數字照相機，移動電話和顯示器的組成的組中選擇的電子設備中。