[發明專利]燒結添加組合物、介電陶瓷組合物、及它們的應用

有效

• 申請號: 201110330394.3
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN103073305A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 蔡聰智;蕭富昌;柯漢洲
• 申請（專利權）人: 東莞華科電子有限公司
• 主分類號: C04B35/63
• 分類號: C04B35/63;C04B35/468;H01G4/12
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 韓蕾

1.一種燒結添加組合物，包括：

二氧化硅；

三氧化二硼；以及

至少二改質成分，這些改質成分選自下列所組成的群組：三氧化鎢、三氧化鉬及二氧化錫；

其中以燒結添加組合物總量為100摩爾，二氧化硅的含量介于60摩爾與85摩爾之間，三氧化二硼的含量介于10摩爾與35摩爾之間，且該至少二改質成分的含量介于0.1摩爾與5摩爾之間。

2.如權利要求1所述的燒結添加組合物，該燒結添加組合物是呈球狀顆粒，且其粒徑為50納米至100納米。

3.一種介電陶瓷組合物，包括：

鈦酸鋇；

一種如權利要求1至2中任一項所述的燒結添加組合物；以及

至少一次要成分，該次要成分選自下列所組成的群組：稀土氧化物、含鎂化合物、氧化錳及三氧化二鋁；

其中以鈦酸鋇的含量為100摩爾，所述燒結添加組合物的含量介于0.5摩爾與5摩爾之間，且所述至少一次要成分的含量介于0.05摩爾與4.8摩爾之間。

4.如權利要求3所述的介電陶瓷組合物，其中稀土氧化物的含量介于0.2摩爾與1摩爾之間，含鎂化合物介于0.5摩爾與3摩爾之間，氧化錳占0.05摩爾與0.3摩爾之間，三氧化二鋁占0.05摩爾與0.5摩爾之間。

5.如權利要求3所述的介電陶瓷組合物，其中所述稀土氧化物為三氧化二鏑、三氧化二釔、或其組合。

6.如權利要求3所述的介電陶瓷組合物，其中所述含鎂化合物為氧化鎂或碳酸鎂。

7.如權利要求3所述的介電陶瓷組合物，該介電陶瓷組合物還包括三氧化二釩，以鈦酸鋇的含量為100摩爾，三氧化二釩的含量介于0.025摩爾與0.25摩爾之間。

8.一種積層陶瓷電容器，包括：

一介電陶瓷本體，包含：

多個介電陶瓷層，所述介電陶瓷層是包含如權利要求3至7中任一項所述的介電陶瓷組合物所燒結而成；

多個內電極層，這些內電極層與介電陶瓷層互相交疊形成于所述介電陶瓷本體內；以及

兩外電極層，分別設置于所述介電陶瓷本體外的相對兩側面，且所述外電極層與介電陶瓷本體的內電極層連接。

9.如權利要求8所述的積層陶瓷電容器，其中每一介電陶瓷層的厚度介于1.0與3.5微米之間。

10.如權利要求8所述的積層陶瓷電容器，其中，所述內電極層與外電極層是由一導電材料所制成。