[發明專利]碳化硅襯底外延片、封裝芯片、白光LED及工藝方法

無效

• 申請號: 201110330349.8
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102427104A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 陳蘇南;吉愛華
• 申請（專利權）人: 深圳市邁克光電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/34;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳化硅襯底外延片，其特征在于，包括從下至上依次設置的SiC襯底、AiN過渡層、N-GaN接觸層、InGaN/GaN多量子阱發光層、P-GaN接觸層。

2.根據權利要求1所述的碳化硅襯底外延片，其特征在于，所述SiC襯底的厚度為50～200um；所述N-GaN接觸層的厚度為200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱發光層的厚度為1000～10000nm；所述P-GaN接觸層的厚度為80～600nm。

3.一種碳化硅襯底封裝芯片，其特征在于，包括從下至上依次設置的N極層、SiC襯底、AiN過渡層、N-GaN接觸層、InGaN/GaN多量子阱發光層、P-GaN接觸層、透明導電層、P電極。

4.根據權利要求3所述的碳化硅襯底封裝芯片，其特征在于，所述SiC襯底的厚度為50～200um；所述N-GaN接觸層的厚度為200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱發光層的厚度為1000～10000nm；所述P-GaN接觸層的厚度為80～600nm。

5.根據權利要求3或4所述的碳化硅襯底封裝芯片，其特征在于，所述透明導電層的厚度為1～10um。

6.一種碳化硅襯底白光LED，其特征在于，包括從下至上依次設置的支架、支架電極、芯片、金線、熒光晶體、硅膠和透鏡，所述芯片包括從下至上依次設置的N極層、SiC襯底、AiN過渡層、N-GaN接觸層、InGaN/GaN多量子阱發光層、P-GaN接觸層、透明導電層、P電極。

7.根據權利要求6所述的碳化硅襯底白光LED，其特征在于，所述SiC襯底的厚度為50～200um；所述N-GaN接觸層的厚度為200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱發光層的厚度為1000～10000nm；所述P-GaN接觸層的厚度為80～600nm。

8.根據權利要求6或7所述的碳化硅襯底白光LED，其特征在于，所述透明導電層的厚度為1～10um。

9.根據權利要求8所述的碳化硅襯底白光LED，其特征在于，所述熒光晶體的厚度為100～2000um。

10.一種碳化硅襯底白光LED工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

將SiC單晶基板放在托盤里送入外延爐，在1055～1065攝氏度下生長N-GaN接觸層；以氮氣為載體，在685-695攝氏度下生長InGaN/GaN多量子阱發光層；在995-1005攝氏度下生長P-GaN接觸層，得到碳化硅襯底外延片；

將生長好的外延片P-GaN接觸層上方先做一層透明導電層，再在透明導電層上做上P電極，在SiC單晶基板的下方做上N極層，得到碳化硅襯底封裝芯片；

將所述碳化硅襯底封裝芯片用自動共晶機將碳化硅襯底封裝芯片固定在支架上，然后用自動焊線機進行焊線，芯片上方放上一塊和碳化硅襯底封裝芯片面積一樣的熒光晶體，之后蓋上透鏡，配好硅膠，抽完真空后，用自動點膠機注入透鏡內后，送入烘箱固化2小時，得到碳化硅襯底白光LED。