[發(fā)明專(zhuān)利]利用脈沖式無(wú)氟碳化合物等離子體的溝槽蝕刻方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110329979.3
• 申請(qǐng)日: 2011-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102779728A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳常明;陳逸男;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/3065
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于包括：

在半導(dǎo)體基材上形成圖案化硬掩模；及

進(jìn)行等離子體蝕刻工藝，并且利用所述圖案化硬掩模作為蝕刻抵擋掩模，在未被所述圖案化硬掩模覆蓋的所述半導(dǎo)體基材中蝕刻出溝槽，其中所述等離子體蝕刻工藝是使用無(wú)氟碳化合物等離子體蝕刻并且在等離子體脈沖式輸出模式下進(jìn)行蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的無(wú)氟碳化合物等離子體蝕刻包含有六氟化硫或三氟化氮的蝕刻氣體；氧氣、溴化氫或氧硫化碳的鈍化氣體；以及氦氣、氮?dú)饣驓鍤獾南♂寶怏w。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的無(wú)氟碳化合物等離子體蝕刻是由三氟化氮蝕刻氣體；氧氣鈍化氣體；以及氮?dú)庀♂寶怏w組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的等離子體脈沖式輸出模式在單一工作循環(huán)的時(shí)間內(nèi)，包括輸出開(kāi)始時(shí)段(或蝕刻段)以及輸出停止時(shí)段(或鈍化段)，使得等離子體被控制在周期性的激活和產(chǎn)生，而非連續(xù)性的激活和產(chǎn)生。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的輸出開(kāi)始時(shí)段占工作循環(huán)時(shí)間的比例被控制在20％至80％間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的圖案化硬掩模包含第一硬掩模層以及第二硬掩模層，且所述的第二硬掩模層位于所述第一硬掩模層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的第一硬掩模層是由多晶硅構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的于半導(dǎo)體基材中蝕刻溝槽的方法，其特征在于所述的第二硬掩模層是由氧化硅構(gòu)成。