[發(fā)明專利]形成自對準(zhǔn)局部互連的方法和由此形成的結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110329923.8
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN102456617A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·W·考伯格三世;D·V·霍拉克;S·波諾斯;楊智超;范淑貞;S·K·卡納卡薩巴帕西
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 杜娟

1.一種方法，包含：

在一個或更多個半導(dǎo)體器件上沉積導(dǎo)電材料覆蓋層，所述半導(dǎo)體器件包含被介電蓋層和絕緣間隔物包封的導(dǎo)電柵極結(jié)構(gòu)；

平面化所述導(dǎo)電材料層以便露出被包封的柵極結(jié)構(gòu)上的所述介電蓋；

生成覆蓋所述被平面化的導(dǎo)電材料層的一部分的局部互連的圖案；

去除所述被平面化的導(dǎo)電材料層的未被所述局部互連的圖案覆蓋的剩余部分；和

通過所述被平面化的導(dǎo)電材料層的所述部分形成局部互連，所述局部互連連接所述一個或更多個半導(dǎo)體器件。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件是具有毗鄰所述間隔物的源極/漏極區(qū)域的場效應(yīng)晶體管，該方法還包含在所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管中的至少一個的所述源極/漏極區(qū)域中形成硅化物。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，沉積所述導(dǎo)電材料覆蓋層包含在所述間隔物和所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管中的所述至少一個的所述源極/漏極區(qū)域中的硅化物的頂部上直接沉積所述導(dǎo)電材料覆蓋層。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成所述局部互連的圖案包含通過光刻工藝在光刻膠材料中在相對于所述蓋層的位置中形成所述局部互連的圖案。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電材料覆蓋層包含直接在第二導(dǎo)電材料層的頂部上形成的第一導(dǎo)電材料層，所述第一導(dǎo)電材料不同于所述第二導(dǎo)電材料。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電材料具有與所述第二導(dǎo)電材料至少相等或者更好的導(dǎo)電性。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電材料是鎢(W)、鋁(Al)或者鎳(Ni)，并且所述第二導(dǎo)電材料是鋁(Al)、鎢(W)、鉭(Ta)或者鈦鋁合金，所述第二導(dǎo)電材料層對所述一個或更多個半導(dǎo)體器件提供襯墊。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，去除所述導(dǎo)電材料覆蓋層的所述剩余部分包含施加第一選擇性蝕刻工藝以去除所述第一導(dǎo)電材料和施加第二選擇性蝕刻工藝以去除所述第二導(dǎo)電材料，對于所述一個或更多個半導(dǎo)體器件，所述第二選擇性蝕刻工藝具有比所述第一選擇性蝕刻工藝更好的選擇性。

9.如權(quán)利要求2所述的方法，還包含在形成所述局部互連以后去除所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管的所述間隔物，由此在所述局部互連和所述柵極電極之間生成開口。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包含沉積覆蓋所述局部互連的介電層，其中，沉積所述介電層僅部分地填充所述局部互連和所述柵極電極之間的開口，而不封閉所述開口。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包含平面化所述介電層并在其頂部上形成至少一個金屬接觸，其中，所述至少一個金屬接觸與所述局部互連相接觸。

12.一種方法，包含：

在一個或更多個場效應(yīng)晶體管上沉積導(dǎo)電材料覆蓋層；

生成覆蓋所述導(dǎo)電材料覆蓋層的一部分的局部互連的光刻膠圖案；

通過去除所述導(dǎo)電材料覆蓋層的未被所述局部互連的光刻膠圖案覆蓋的部分，形成所述導(dǎo)電材料的一個或更多個局部互連；和

通過所述一個或更多個局部互連連接所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管包括源極/漏極區(qū)域、柵極電極和毗鄰所述柵極電極的間隔物；并且其中沉積所述導(dǎo)電材料覆蓋層包含在所述間隔物和所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管的所述源極/漏極區(qū)域中的硅化物的頂部上直接沉積所述導(dǎo)電材料覆蓋層。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管包括在所述柵極電極頂部上的蓋層，該方法還包含在形成所述局部互連的光刻膠圖案之前拋光所述導(dǎo)電材料覆蓋層，直到所述蓋層被露出為止。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包含在形成所述局部互連之后去除所述一個或更多個場效應(yīng)晶體管的所述間隔物，在所述局部互連和所述柵極電極之間生成開口。