[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 201110329532.6
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102856342A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 金成虎;崔鐘炫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強

1.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基板；

位于所述基板上的絕緣層；以及

像素電極，位于所述絕緣層上包括透明導電層，

其中所述絕緣層的與所述透明導電層接觸的表面的一部分具有多個凹孔，所述多個凹孔通過利用進入所述絕緣層與所述像素電極的透明導電層之間的界面的蝕刻劑進行蝕刻而形成。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述多個凹孔充當透鏡。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述透明導電層包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋁鋅中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述蝕刻劑包括氟酸和氟化銨。

5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示器，其中包括在所述蝕刻劑中的所述氟酸小于1.5wt％，并且包括在所述蝕刻劑中的所述氟化銨小于35wt％。

6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述絕緣層包括氮化硅。

7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，進一步包括：

有源層，利用半導體材料形成在所述基板和所述絕緣層之間；

柵電極，設置在與所述絕緣層上的所述像素電極相同的層上，并且包括所述透明導電層和在所述透明導電層上的金屬層；

附加絕緣層，具有暴露所述像素電極的絕緣層開口，并且形成在所述絕緣層上以覆蓋所述柵電極；

源電極和漏電極，位于所述附加絕緣層上并且分別電連接至所述有源層；

位于所述像素電極上的有機發射層；以及

位于所述有機發射層上的公共電極。

8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述像素電極進一步包括金屬層，所述金屬層位于所述透明導電層的一部分上。

9.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中：

所述金屬層包括鋁、鉑、鈀、銀、鎂、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢和銅的金屬中的至少一種。

10.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，進一步包括：

利用與所述有源層相同的層、由所述半導體材料制成的第一電容器電極，以及利用與所述柵電極相同的層和相同的材料形成的第二電容器電極，所述第二電容器電極與所述第一電容器電極重疊。

11.一種制造有機發光二極管顯示器的方法，包括：

在基板上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成包括透明導電層的像素電極；以及

通過蝕刻劑來蝕刻所述絕緣層的與所述像素電極的透明導電層接觸的表面的一部分，以形成多個凹孔。

12.根據權利要求11所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

所述蝕刻劑滲入所述絕緣層與所述像素電極的透明導電層之間的界面中。

13.根據權利要求11所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

所述多個凹孔充當透鏡。

14.根據權利要求11所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

所述透明導電層包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋁鋅中的至少一種。

15.根據權利要求11所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

所述蝕刻劑包括氟酸和氟化銨。

16.根據權利要求15所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

包括在所述蝕刻劑中的所述氟酸小于1.5wt％，并且包括在所述蝕刻劑中的所述氟化銨小于35wt％。

17.根據權利要求11所述的制造有機發光二極管顯示器的方法，其中：

所述絕緣層包括氮化硅。