[發(fā)明專(zhuān)利]一種抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110328769.2
• 申請(qǐng)日: 2011-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102354707A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李澤宏;楊文韜;張金平;張波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/739
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/739;H01L29/10
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專(zhuān)利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的P型基區(qū)(7)和N^-型漂移區(qū)(3)之間的界面處具有一層介質(zhì)隔離層(11)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)的材料為SiO₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)是利用氧離子注入和退火的方法形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)是采用沉積SiO₂和后續(xù)圖形刻蝕的方法形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)是采用熱氧化生長(zhǎng)SiO₂和后續(xù)圖形刻蝕的方法形成的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)是采用部分SOI材料直接獲得的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述介質(zhì)隔離層(11)材料為Si₃N₄或HfO₂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或7所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的集電極是電場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)、透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)或陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2或7所述的抗閂鎖效應(yīng)的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管的半導(dǎo)體材料為Si、SiC、GaAs或GaN。