[發明專利]阻擋膜及其制造方法

無效

• 申請號: 201110328352.6
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN102529203A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 余澤中;小野洋明;川名隆宏
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B23/00;B32B27/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種阻擋膜，包括：

基材，由具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的塑料膜形成；

第一阻擋層，通過原子層沉積法形成在所述第一表面上并且由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成；以及

第二阻擋層，通過原子層沉積法形成在所述第二表面上并且由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成。

2.根據權利要求1所述的阻擋膜，

其中，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層是在大于等于0.3Torr小于等于10Torr的壓力下形成的氧化鋁膜。

3.根據權利要求2所述的阻擋膜，

其中，所述阻擋膜具有小于等于10×10^-5[g/m²/天]的水蒸氣透過率。

4.根據權利要求2所述的阻擋膜，

其中，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層均具有大于等于20nm小于等于50nm的厚度。

5.根據權利要求1所述的阻擋膜，還包括：

第三阻擋層，所述第三阻擋層通過濺射法形成在所述第一表面和所述第一阻擋層之間并且由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成。

6.根據權利要求1所述的阻擋膜，還包括：

第三阻擋層，所述第三阻擋層通過濺射法形成在所述第一表面和所述第一阻擋層之間并且由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成；以及

第四阻擋層，所述第四阻擋層通過濺射法形成在所述第二表面和所述第二阻擋層之間并且由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成。

7.根據權利要求1所述的阻擋膜，其中，所述無機材料是包含Al、Zn、Si、Cr、Zr、Cu和Mg的金屬元素中的至少一種的氧化物和/或氮化物。

8.一種顯示裝置，包括根據權利要求1至7中的任一項所述的阻擋膜。

9.一種便攜式電子裝置，包括根據權利要求1至7中的任一項所述的阻擋膜。

10.一種半導體器件，包括根據權利要求1至7中的任一項所述的阻擋膜。

11.一種電池，包括根據權利要求1至7中的任一項所述的阻擋膜。

12.一種包裝組件，包括根據權利要求1至7中的任一項所述的阻擋膜。

13.一種制造阻擋膜的方法，所述方法包括：

在壓力保持在大于等于0.5Torr小于等于5Torr的真空腔中通過原子層沉積法在塑料膜的第一表面上形成由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成的第一阻擋層；和

在所述真空腔中，通過原子層沉積法在與所述塑料膜的與所述第一表面相對的第二表面上形成由具有水蒸氣阻擋性的無機材料制成的第二阻擋層。

14.根據權利要求13所述的制造阻擋膜的方法，

其中，所述無機材料為氧化鋁。