[發明專利]帶空氣間隙結構的半導體功率器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110327945.0
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN103077958A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 李偉峰
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種帶空氣間隙結構的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件的電子漂移區內具有空氣間隙結構。

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述空氣間隙呈軸對稱排放。

3.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述空氣間隙下方與所述半導體功率器件的P型區的距離為0.5～5μm。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述空氣間隙的面積為所述半導體功率器件總面積的1/10～1/3。

5.一種帶空氣間隙結構的半導體功率器件的制造方法，其特征在于，所述空氣間隙結構的制作，包括以下步驟：

1)在硅片的電子漂移區上方涂布光刻膠；

2)曝光，打開光刻圖形；

3)在電子漂移區內進行深溝槽的刻蝕，刻蝕完成后去除光刻膠；

4)在電子漂移區上方生長外延，直到把所述深溝槽堵住，同時形成空氣間隙；

5)把所述外延的表面磨平，完成空氣間隙結構的制作。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻圖形的形狀為圓形、方形、正多邊形、環型或者不規則形狀。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述深溝槽呈軸對稱排放。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述深溝槽的底部與所述半導體功率器件的P型區的距離為0.5～5μm。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述深溝槽的面積為所述半導體功率器件總面積的1/10～1/3。