[發明專利]改善貯存時間Ts一致性的功率晶體管制造方法無效

申請號：	201110327833.5	申請日：	2011-10-25
公開（公告）號：	CN102403223A	公開（公告）日：	2012-04-04
發明（設計）人：	許國杰;沈濤;張晶	申請（專利權）人：	丹東安順微電子有限公司
主分類號：	H01L21/331	分類號：	H01L21/331
代理公司：	丹東匯申專利事務所 21227	代理人：	徐楓燕
地址：	118002 遼***	國省代碼：	遼寧;21
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摘要：
搜索關鍵詞：	改善貯存時間 ts 一致性功率晶體管制造方法
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【權利要求書】：

1.一種改善貯存時間Ts一致性的功率晶體管制造方法，其方法是：硅三重擴散片表面生長形成氧化層，在氧化層光刻基區窗口，由基區窗口硼離子注入，隨后高溫退火，對注入后產生的缺陷進行修復和并推結形成基區，再由退火生長產生的氧化層為屏蔽進行發射區窗口光刻并磷擴散，最終成為垂直型NPN型結構晶體管，其特征在于其中高溫退火是在退火時間內經兩步驟完成：首先在純氮氣氛圍升溫至退火溫度，在該退火溫度保持30分鐘-50分鐘，其后摻入氧氣，在氮氣與氧氣混合氛圍中完成剩余退火時間的退火推結，形成基區。

2.根據權利要求1所述的改善貯存時間Ts一致性的功率晶體管制造方法，其特征在于氮氣與氧氣混合氛圍的流量比為8L/800mL。

3.根據權利要求1或2所述的改善貯存時間Ts一致性的功率晶體管制造方法，其特征在于高溫退火的降溫過程是在氮氣氛圍中進行，其降溫速率為3℃/min。?

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