[發明專利]封裝基板表面電鍍方法

有效

• 申請號: 201110327728.1
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN102505132A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 黃永民;劉良軍;楊海龍;楊智勤
• 申請（專利權）人: 深南電路有限公司
• 主分類號: C25D5/02
• 分類號: C25D5/02;C25D7/12;H01L21/48
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 彭愿潔;李文紅

1.一種封裝基板表面電鍍方法，其特征在于，包括：

在已形成線路的封裝基板上印刷阻焊劑以形成阻焊層；

將所述封裝基板的阻焊層加工出阻焊圖形；

在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍金區域，其中，所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度低于所述抗鍍干膜的熔點溫度；

對冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進行鍍表面金屬電鍍物處理；

去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍表面金屬電鍍物區域，包括：

在加工出阻焊圖形的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜；

對所述抗鍍干膜進行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區域。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述表面金屬電鍍物包括：金、鎳金、鎳鈀金、銀或錫。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述抗鍍干膜進行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區域，包括：

對所述抗鍍干膜進行曝光顯影處理以露出待鍍鎳軟金區域；

所述對冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進行鍍表面金屬電鍍物處理，去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜，包括：對冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進行鍍鎳軟金處理，去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

所述去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜之后，還包括：

在鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳硬金區域；

對露出待鍍鎳硬金區域的所述封裝基板進行鍍鎳硬金處理；

去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述抗鍍干膜進行曝光顯影處理以露出待鍍表面金屬電鍍物區域，包括：

對所述抗鍍干膜進行曝光顯影處理以露出待鍍鎳硬金區域；

所述對冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進行鍍表面金屬電鍍物處理，去除鍍表面金屬電鍍物后的所述封裝基板上的抗鍍干膜，包括：對冷貼抗鍍干膜的所述封裝基板進行鍍鎳硬金處理，去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，

所述去除鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜之后，還包括：

在鍍鎳硬金處理后的所述封裝基板上冷貼抗鍍干膜且露出待鍍鎳軟金區域；

對露出待鍍鎳軟金區域的所述封裝基板進行鍍鎳軟金處理；

去除鍍鎳軟金處理后的所述封裝基板上的抗鍍干膜。

8.根據權利要求1至7任一項所述的方法，其特征在于，

所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度范圍為20℃～50℃。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述冷貼抗鍍干膜的貼膜溫度范圍為40℃。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述抗鍍干膜懸空覆蓋住所述封裝基板上的非鍍鎳軟金區域以露出待鍍鎳軟金區域；和/或，所述抗鍍干膜懸空覆蓋住所述封裝基板上的非鍍鎳硬金區域以露出待鍍鎳硬金區域。