[發明專利]非易失性存儲器架構

有效

• 申請號: 201110327168.X
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN102456402A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: C.德雷;K.霍夫曼;A.奈伊
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種電子設備，包括：

第一存儲器單元，包括第一開關；

第二存儲器單元，包括第二開關；

導體，耦合到所述第一開關和到所述第二開關并且配置成切換所述第一開關和所述第二開關；以及

晶體管，在所述晶體管的源極或者漏極之一處耦合到所述第一存儲器單元而在所述晶體管的源極或者漏極中的另一個處耦合到所述第二存儲器單元，所述晶體管的柵極耦合到所述導體。

2.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述第一開關、所述第二開關和所述晶體管中的至少一個為金屬氧化物半導體（MOS）器件。

3.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的至少一個存儲器單元包括非易失性存儲器（NVM）偶極器件。

4.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述晶體管被配置成將所述第一存儲器單元與所述第二存儲器單元電隔離。

5.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元共享共同電源線。

6.根據權利要求1所述的電子設備，還包括能操作用于選擇所述第一存儲器單元的第一位線和/或能操作用于選擇所述第二存儲器單元的第二位線。

7.一種存儲器設備，包括：

多對存儲器單元，每個存儲器單元包括開關；

導體，耦合到所述多對存儲器單元中的至少第一組的每個存儲器單元并且配置成切換所述至少第一組的每個存儲器單元的每個開關；以及

晶體管，耦合到每對存儲器單元，所述晶體管耦合到每對的每個存儲器單元。

8.根據權利要求7所述的存儲器設備，其中所述晶體管的柵極耦合到所述導體。

9.根據權利要求7所述的存儲器設備，其中所述多對存儲器單元共享共同電源線。

10.根據權利要求7所述的存儲器設備，還包括：

所述多對存儲器單元中的第二組；以及

第二晶體管，配置成將所述第一組中的第一存儲器單元耦合到所述第二組中的第二存儲器單元，所述第二晶體管被配置成將所述第一存儲器單元與所述第二存儲器單元電隔離。

11.根據權利要求10所述的存儲器設備，其中所述第二晶體管的柵極耦合到所述導體。

12.根據權利要求10所述的存儲器設備，還包括：第三晶體管，配置成將所述第一組中的第三存儲器單元耦合到所述第二組中的第四存儲器單元，所述第三晶體管被配置成將所述第三存儲器單元與所述第四存儲器單元電隔離。

13.根據權利要求12所述的存儲器設備，其中所述第三晶體管的柵極耦合到所述導體。

14.根據權利要求10所述的存儲器設備，還包括能操作用于選擇所述第一存儲器單元的第一位線和能操作用于選擇所述第二存儲器單元的第二位線中的至少一個。

15.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第二位線能配置成關于存在于所述第一位線處的電壓浮動。

16.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一位線和所述第二位線中的至少一個能配置成關于電源線被偏置以提供對所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的至少一個的雙向寫入能力。

17.一種裝置，包括：

第一對存儲器單元，所述第一對存儲器單元的每個存儲器單元包括開關；

第一導體，耦合到所述第一對存儲器單元的每個開關，所述第一導體被配置成切換所述第一對存儲器單元的每個開關；

第一晶體管，耦合到所述第一對存儲器單元，所述第一晶體管到所述第一對中的每個存儲器單元，所述第一晶體管的柵極耦合到所述第一導體；

第二對存儲器單元，所述第二對存儲器單元的每個存儲器單元包括開關；

第二導體，耦合到所述第二對存儲器單元的每個開關，所述第二導體被配置成切換所述第二對存儲器單元的每個開關；以及

第二晶體管，耦合到所述第二對存儲器單元，所述第二晶體管到所述第二對中的每個存儲器單元，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第二導體。