[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201110326236.0 | 申請日: | 2008-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN102354700A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發明(設計)人: | 福田俊廣 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 周少杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其中多個像素總體上以矩陣狀態排列,所述顯示裝置包括:
一對基底;
在對應于該對基底的一個基底上的每個像素的區域中形成的自發光型發光設備;以及
在對應于該對基底的另一基底上的每個像素之間的部分的區域中形成的黑矩陣層,并且
滿足以下公式(42)到公式(44):
2√3>(|WBM-WLD|/D)(42)
WLD<WBM??(43)
(√3/2)*WBM≥D≥(1/2√3)*(WBM-WLD)(44)
其中WBM代表所述黑矩陣層的孔徑尺寸;WLD代表所述發光設備的發光區域尺寸;并且D代表所述發光設備和黑矩陣層之間的空氣長度。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中在每個像素中,在水平方向上的所述黑矩陣層的孔徑尺寸WBM和所述發光設備的發光區域尺寸WLD分別比在垂直方向上的所述黑矩陣層的孔徑尺寸WBM和所述發光設備的發光區域尺曠WLD長。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述發光設備是有機EL設備,并且所述顯示裝置配置為有機EL顯示裝置。
4.一種顯示裝置,其中多個像素總體上以矩陣狀態排列,所述顯示裝置包括:
一對基底;
在對應于該對基底的一個基底上的每個像素的區域中形成的自發光型發光設備;以及
在對應于該對基底的另一基底上的每個像素之間的部分的區域中形成的黑矩陣層,并且
滿足以下公式(45)到公式(47):
2√3>(|WBM-WLD|/D)(45)
WLD≥WBM??(46)
(√3/2)*WLD≥D≥(1/2√3)*(WLD-WBM)(47)
其中WBM代表所述黑矩陣層的孔徑尺寸;WLD代表所述發光設備的發光區域尺寸;并且D代表所述發光設備和黑矩陣層之間的空氣長度。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中在每個像素中,在水平方向上的所述黑矩陣層的孔徑尺寸WBM和所述發光設備的發光區域尺寸WLD分別比在垂直方向上的所述黑矩陣層的孔徑尺寸WBM和所述發光設備的發光區域尺曠WLD長。
6.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中所述發光設備是有機EL設備,并且所述顯示裝置配置為有機EL顯示裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





