[發(fā)明專利]以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110325464.6
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102339905A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 臧曉丹;李昌齡;唐維泰
• 申請（專利權(quán)）人: 通用光伏能源（煙臺）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 煙臺雙聯(lián)專利事務(wù)所(普通合伙) 37225
• 代理人: 梁翠榮

1.一種以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法，其特征是按下列步驟進(jìn)行的：

①、玻璃清洗：將備好的玻璃片傳送至玻璃清洗系統(tǒng)清洗，并將清洗后的玻璃烘干；

②、光學(xué)檢測：用光學(xué)檢測系統(tǒng)檢測清洗后的玻璃表面是否有殘留的污漬，將檢驗合格的玻璃送至LPCVD鍍膜室；

③、鍍膜：將制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜的金屬無機(jī)鹽前驅(qū)物配制成澄清飽和水溶液，利用鼓泡器和載氣N₂將其溶液載入到LPCVD鍍膜室中，所用的N₂流量為300-325?SCCM，無機(jī)鹽前驅(qū)物與N₂的摩爾比為0.2-0.3，鍍膜室中的壓力控制在100-500mTorr，鍍膜室溫度比金屬無機(jī)鹽的分解溫度高150-200℃，金屬無機(jī)鹽在LPCVD鍍膜室中分解，并最終在比鍍膜室溫度低50-100℃的玻璃基底上沉積生成透明導(dǎo)電氧化物薄膜；?

④、性能檢測：用全光譜反射膜厚度測量儀和四探針方塊電阻測量儀測量透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的透光率、厚度和方塊電阻；?

⑤、成品包裝：將經(jīng)檢驗符合鍍膜玻璃標(biāo)準(zhǔn)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃下線，按要求包裝，得到最終產(chǎn)品。

2.按照權(quán)利要求1所述的以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法，其特征是所述的金屬無機(jī)鹽前驅(qū)物是指Zn²⁺、In³⁺、Sn⁴⁺中的任一種與????????????????????????????????????????????????、、、中的任一種所組成的鹽。

3.按照權(quán)利要求1所述的以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法，其特征是在金屬無機(jī)鹽載入LPCVD鍍膜室之前將其輸送管道加熱至110℃，防止其于管道中發(fā)生沉積。

4.按照權(quán)利要求1所述的以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法，其特征是將檢驗不符合鍍膜玻璃標(biāo)準(zhǔn)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃回收至腐蝕池，用稀鹽酸將其表面的氧化物薄膜腐蝕掉，實現(xiàn)玻璃的回收利用。

5.按照權(quán)利要求1或2所述的以無機(jī)鹽為前驅(qū)物L(fēng)PCVD技術(shù)制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃的方法，其特征是在反應(yīng)前驅(qū)物中摻雜Al或Ga的化合物，制備摻雜Al₂O₃?或Ga₂O₃的ZnO、SnO₂或In₂O₃的透明導(dǎo)電氧化物薄膜玻璃。