[發明專利]一種二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法有效
| 申請號： | 201110325024.0 | 申請日： | 2011-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN102383180A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 劉勇;王曉悅;沈輝;鄧幼俊 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C30B7/14 | 分類號： | C30B7/14;C30B29/62;C30B29/16 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 鈦單晶 金紅石 納米 陣列 薄膜 合成 方法 | ||
1.一種二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是含以下步驟：
(1)?取月桂酸、無水乙醇和去離子水混勻，再加入鈦源并劇烈攪拌后，得混合液；
(2)?將混合液放入密閉的反應釜中，將反應釜置于恒溫箱中，調節反應溫度為100-230℃，反應時間為1-100小時，反應完冷卻至室溫；
(3)?取出反應釜中生成的薄膜，經含洗滌和烘干的后續工序處理后，即制備得二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜。
2.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(1)中月桂酸與無水乙醇、去離子水的質量體積比為0.01-10g：1-20mL：1-60mL。
3.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(1)中所述的鈦源包括鈦酸丁酯、鈦酸異丙酯、四氯化鈦、三氯化鈦和硫酸氧鈦中的一種或幾種，其中鈦源與月桂酸的體積質量比為0.1-10mL：0.01-10g。
4.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(1)中劇烈攪拌的時間為10min-1h。
5.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(2)中所述反應釜為設有塑料或玻璃內襯的金屬殼體。
6.根據權利要求5所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：所述塑料包括聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚苯酯或聚酰胺。
7.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(3)中洗滌采用無水乙醇先后洗滌數次。
8.根據權利要求1所述的二氧化鈦單晶金紅石納米線陣列薄膜的合成方法，其特征是：步驟(3)中烘干時的溫度為50-70℃，烘干時間為6-28h。
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