[發(fā)明專利]低碳烷烴脫氫制低碳烯烴催化劑及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110324924.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103055856A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳文海;吳省;樊志貴;馬春景;張磊;繆長(zhǎng)喜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)石油化工股份有限公司;中國(guó)石油化工股份有限公司上海石油化工研究院 |
| 主分類號(hào): | B01J23/62 | 分類號(hào): | B01J23/62;C07C5/333;C07C11/06;C07C11/09 |
| 代理公司: | 上海東方易知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 31121 | 代理人: | 沈原 |
| 地址: | 100728 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 烷烴 脫氫 制低碳 烯烴 催化劑 及其 制備 方法 | ||
1.一種低碳烷烴脫氫制備低碳烯烴的催化劑,以催化劑重量百分比計(jì),包括以下組分:
a)選自鉑系金屬中釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑中的至少一種,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的0.01~1.2%;
b)選自元素周期表中IVA化合物中的至少一種,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的0.01~5.0%;
c)選自元素周期表中I?A或II?A化合物中的至少一種,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的0.01~3.0%;
d)90~99%的載體;
其中所用載體以重量份數(shù)計(jì),包括以下兩種氧化鋁組分:a)50~90份的選自擬薄水鋁石原粉、三水合氧化鋁原粉、具有γ-Al2O3、δ-Al2O3、θ-Al2O3晶相結(jié)構(gòu)的氧化鋁原粉中的至少一種的氧化鋁A組分;b)10~50份的選自擬薄水鋁石原粉、三水合氧化鋁原粉、具有α-Al2O3、γ-Al2O3、δ-l2O3、θ-Al2O3晶相結(jié)構(gòu)的氧化鋁原粉中的至少一種的氧化鋁B組分;其中氧化鋁A組分二次粒子平均直徑在20~80μm,氧化鋁B組分二次粒子平均直徑在0.1~30μm;氧化鋁B組分二次粒子平均直徑要小于氧化鋁A組分二次粒子平均直徑;載體強(qiáng)度為80~200N/mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳烷烴脫氫制備低碳烯烴催化劑,其特征在于元素周期表中IVA化合物選自Sn或Ge的至少一種,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的1.0~2.0%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低碳烷烴脫氫制備低碳烯烴催化劑,其特征在于鉑系金屬選自Pt或Pd,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的0.1~1.0%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述低碳烷烴脫氫制備低碳烯烴催化劑,其特征在于元素周期表中I?A或II?A元素選自Li、Na、K、Ca、Mg、Ba中的至少一種,以單質(zhì)計(jì)為催化劑重量的0.05~2.0%。
5.權(quán)利要求1所述的低碳烷烴脫氫制備低碳烯烴催化劑的制備方法,包括以下步驟:
a)在所用的氧化鋁組分A中摻雜具有更小平均粒子大小的鋁的無機(jī)含氧化合物氧化鋁組分B,并加入田菁粉等成型助劑進(jìn)行充分捏合,其中用于摻雜的鋁的無機(jī)含氧化合物組分B選自擬薄水鋁石原粉、三水合氧化鋁原粉、具有一定晶相結(jié)構(gòu)的氧化鋁原粉中的至少一中;
b)將a)步驟捏合均勻的物料在擠條機(jī)上進(jìn)行擠出成型后,60~120℃烘干,650~1000℃焙燒3~12小時(shí)得到載體;
c)配制所需量的氯鉑酸鹽水溶液以及錫組分的可溶性鹽的混合水溶液I;
d)用浸漬法將溶液I中所含可溶性鹽負(fù)載在b)步驟得到的載體上,浸漬12~48小時(shí)后,干燥后得到催化劑前體;
e)催化劑前體在450~650℃焙燒0.5~12小時(shí),并用水蒸汽脫氯0.5~10小時(shí)后用氫氣還原得到低碳烷烴脫氫制低碳烯烴催化劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低碳烷烴脫氫制低碳烯烴催化劑的制備方法,其特征在于步驟a中,選自擬薄水鋁石原粉或氧化鋁原粉的氧化鋁A組分用量的50%~90%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低碳烷烴脫氫制低碳烯烴催化劑的制備方法,其特征在于步驟b中經(jīng)干燥后得到的復(fù)合氧化鋁載體的焙燒溫度在750~950℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低碳烷烴脫氫制低碳烯烴催化劑的制備方法,其特征在于步驟e中氫氣還原的溫度為400~550℃,還原時(shí)間為0.5~4小時(shí)。
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