[發明專利]直流輸電線下小型接地物體表面合成電場的計算方法

無效

• 申請號: 201110324649.5
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號: CN102368286A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 崔翔;甄永贊;盧鐵兵
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: G06F19/00
• 分類號: G06F19/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 朱琨

1.一種直流輸電線下小型接地物體表面合成電場的計算方法，其特征是所述方法包括：

步驟1：在直流輸電線下不存在小型接地物體時，利用二維離子流場計算方法計算空間各點的電荷密度；

步驟2：在直流輸電線下存在小型接地物體時，利用所述二維離子流場計算方法計算的空間各點的電荷密度，使用三維靜電場計算方法獲得物體表面合成電場。

2.根據權利要求1所述的直流輸電線下物體表面合成電場的計算方法，其特征是所述步驟1具體是：

步驟11：設定邊界條件；

步驟12：設定空間各點的電荷密度初值；

步驟13：由空間各點的電荷密度值，計算空間各點的電位和場強；

步驟14：由空間各點的電位和場強，計算空間各點的電荷密度；

步驟15：判斷邊界條件和空間各點的電荷密度是否滿足收斂條件，如果邊界條件和空間各點的電荷密度滿足收斂條件，則所述空間各點的電荷密度即為所求解；否則，執行步驟16；

步驟16：修正空間各點的電荷密度，并將修正后的空間各點的電荷密度作為空間各點的電荷密度值，返回步驟13。

3.根據權利要求1所述的直流輸電線下物體表面合成電場的計算方法，其特征是所述步驟2具體是：

步驟21：設定三維區域，使物體位于三維區域底部中心位置；

步驟22：以所述二維離子流場計算方法計算的空間各點的電荷密度作為所述三維區域對應空間位置的點的電荷密度；

步驟23：獲取所述三維區域的各邊界電位和物體表面電位；

步驟24：計算物體表面電場，即為所求合成電場。