[發明專利]用于提高層間電介質中的金屬圖案的密度的器件制造方法

有效

• 申請號: 201110324382.X
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102810474A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 馬威宇;朱芳村;閻桂鳳;王耀彬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種方法，包括：

在半導體襯底的表面上形成晶體管，其中，形成所述晶體管的步驟包括：形成柵電極；以及形成與所述柵電極鄰近的源極/漏極區域；

形成第一金屬部件，所述第一金屬部件的至少一部分與所述柵電極齊平；

形成第二金屬部件，所述第二金屬部件位于所述第一金屬部件的上方并且與所述第一金屬部件相接觸，其中，同時形成所述第二金屬部件；

去除第一個第二金屬部件，并且通過第三金屬部件替換所述第一個第二金屬部件，其中，沒有去除第二個第二金屬部件；以及

形成第四金屬部件，所述第四金屬部件位于所述柵電極的正上方并且與所述柵電極相接觸，其中，使用相同的金屬填充工藝形成所述第三金屬部件和所述第四金屬部件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第三金屬部件的一部分與所述第四金屬部件的一部分齊平。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一個第二金屬部件位于保護環的正上方，其中，所述保護環為在所述半導體襯底中的阱區域的摻雜表面部分，并且其中，所述第二個第二金屬部件位于選自基本上由在所述半導體襯底中的所述源極/漏極區域和淺溝槽隔離(STI)區域構成的組的部件的正上方。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一個第二金屬部件位于二極管的正上方，并且與所述二極管電連接，并且其中，所述第二個第二金屬部件位于選自基本上由在所述半導體襯底中的所述源極/漏極區域和淺溝槽隔離區域構成的組的部件的正上方。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，去除和替換所述第一個第二金屬部件的步驟包括：

蝕刻所述第一個第二金屬部件，從而形成開口；

將所述開口的寬度擴大至大于所述第一個第二金屬部件的寬度；

將金屬材料填充至所述開口中；以及

實施拋光，從而去除所述金屬材料的多余部分，其中，所述金屬材料剩下的部分形成所述第三金屬部件和所述第四金屬部件。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

形成金屬通孔，所述金屬通孔位于所述第三金屬部件和所述第四金屬部件上方并且與所述第三金屬部件和所述第四金屬部件相接觸；以及

形成金屬線，所述金屬線位于所述金屬通孔上方并且與所述金屬通孔相接觸。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述柵電極的步驟之后和形成所述第一金屬部件的步驟之前，在所述柵電極上方形成介電層，其中，形成所述第一金屬部件的步驟包括：使用所述介電層作為CMP停止層實施化學機械拋光(CMP)。