[發明專利]白光LED外延芯片封裝結構無效
| 申請號： | 201110324177.3 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102332513A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發明（設計）人： | 何瑞科;吉愛華;馬新尚;李虹;蘆增輝 | 申請（專利權）人： | 西安重裝渭南光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 714000 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 白光 led 外延 芯片 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.白光LED外延芯片封裝結構，包括白光LED外延結構、白光LED芯片結構，白光LED封裝結構。其特征在于：所述白光LED外延結構包括從下至上依次設置的ZnSe襯底、N-ZnSe接觸層、CdZnSe藍光發光層和P+ZnSe接觸層
所述白光LED芯片結構包括從下至上依次是N電極、ZnSe襯底、N-ZnSe接觸層、CdZnSe藍光發光層、P+ZnSe接觸層、P電極。
所述白光LED封裝結構包括從下至上依次是支架、銀膠、芯片、金線、硅膠。
2.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述ZnSe襯底的厚度為50～200um。
3.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述N-ZnSe接觸層的厚度為200～1000nm。
4.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述CdZnSe藍光發光層的厚度為1000～10000nm。
5.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述P-ZnSe接觸層的厚度為80～600nm。
6.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述P電極的厚度為1～10um。
7.如權利要求1所述的白光LED外延芯片封裝結構，其特征在于：所述金絲直徑為30um。
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