[發(fā)明專利]一種壓力傳感器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110322967.8
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN102798489A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡堅(jiān);王濤;王謙
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01L1/18
• 分類號(hào): G01L1/18;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 南毅寧;王鳳桐

1.一種壓力傳感器，該壓力傳感器包括襯底(100)、壓敏元件(200)及其引出電極和硅通孔(50)，其中，所述壓敏元件(200)及其引出電極位于所述襯底(100)的一側(cè)，所述硅通孔(50)貫穿所述襯底(100)并且所述硅通孔(50)的一端與所述壓敏元件(200)的引出電極互連，所述硅通孔(50)的另一端作為所述壓力傳感器的輸出端，所述壓力傳感器還包括位于所述壓敏元件(200)下方的密封空腔(40)，并且所述壓敏元件(200)與所述密封空腔(40)之間形成壓敏薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其中，所述襯底(100)為絕緣體上硅襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其中，所述壓力傳感器還包括對通過所述硅通孔(50)輸出的信號(hào)進(jìn)行處理的處理元件(1)，該處理元件(1)具有與所述硅通孔(5)電連接的電極。

4.一種制備壓力傳感器的方法，該方法包括：

提供襯底；

在襯底的一側(cè)上制備壓敏元件及其引出電極，并進(jìn)行圖形化；

在所述襯底的形成有所述壓敏元件的一側(cè)制備所述壓敏元件引出電極的電連接孔；

將所述襯底的未形成有所述壓敏元件的一側(cè)減薄至露出所述電連接孔從而形成硅通孔；

在所述襯底的未形成所述壓敏元件的一側(cè)上，在所述硅通孔上制備金屬凸點(diǎn)；

在所述壓敏元件下方形成密封空腔以及位于所述壓敏元件與所述密封空腔之間的壓敏薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述方法還包括：

在對所述襯底進(jìn)行減薄之前，在所述襯底的形成有所述壓敏元件的一側(cè)上形成保護(hù)膜；以及

在形成所述密封空腔之后去除所述保護(hù)膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述襯底為絕緣體上硅襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述在所述壓敏元件下方形成密封空腔以及位于所述壓敏元件與所述密封空腔之間的壓敏薄膜包括：

在所述絕緣體上硅襯底未形成所述壓敏元件的一側(cè)對位于所述壓敏元件下方部分進(jìn)行刻蝕直到露出所述絕緣體上硅襯底的絕緣層為止；

將所述絕緣體上硅襯底的未形成所述壓敏元件的一側(cè)與另一芯片鍵合，從而形成所述密封空腔。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述在所述壓敏元件下方形成密封空腔以及位于所述壓敏元件與所述密封空腔之間的壓敏薄膜包括：

刻蝕位于所述壓敏元件下方的所述襯底的一部分；

將所述襯底的未形成所述壓敏元件的一側(cè)與對壓力信號(hào)進(jìn)行處理的處理元件進(jìn)行鍵合；

形成所述壓力傳感器的密封空腔。