[發明專利]用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法及薄膜太陽能電池有效
| 申請號: | 201110322862.2 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103065949A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 梅芳;趙軍 | 申請(專利權)人: | 上方能源技術(杭州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/225 | 分類號: | H01L21/225;H01L31/04 |
| 代理公司: | 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 趙衛康 |
| 地址: | 311215 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 薄膜 太陽能電池 元素 摻雜 方法 | ||
1.?用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法,其特征在于:在待摻雜的膜層表面放置含摻雜元素的粉末,使所述待摻雜的膜層的溫度達到150~300℃并保持1~30min,然后移除剩余在所述待摻雜的膜層表面的所述粉末。
2.?根據權利要求1所述的用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法,其特征在于:所述元素為銅,所述粉末為含銅的無機鹽或有機鹽粉末或金屬銅粉。
3.?根據權利要求2所述的用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法,其特征在于:所述含銅的無機鹽或有機鹽粉末為CuCl、CuCl2、CuSO4、Cu(NO3)2、CuC2O4、Cu(C6H4NO2)2、Cu(CH3COO)2中的一種或兩種以上粉末的混合物。
4.?根據權利要求1-3任一項所述的用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法,其特征在于:所述移除方法包括吹除、吸除或清洗。
5.?根據權利要求4所述的用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法,其特征在于:所述待摻雜的膜層的溫度保持在180~240℃,時間為1~10min。
6.?如權利要求1所述的用于薄膜太陽能電池的元素摻雜方法制備的薄膜太陽能電池,包括玻璃基板、透明導電氧化物層、窗口層、吸光層和背電極層,其特征在于:所述吸光層表面和內部被摻雜所述元素。
7.?根據權利要求6所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述元素為銅,所述粉末為含銅的無機鹽或有機鹽粉末或金屬銅粉末。
8.?根據權利要求7所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述含銅的無機鹽或有機鹽粉末為CuCl、CuCl2、CuSO4、Cu(NO3)2、CuC2O4、Cu(C6H4NO2)2、Cu(CH3COO)2中的一種或兩種以上粉末的混合物。
9.?根據權利要求6-8任一項所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述透明半導體氧化物層為FTO、AZO、ITO或CTO。
10.?根據權利要求6-8任一項所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述窗口層和所述吸光層為ZnO、ZnS、ZnSe、?ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、CIGS、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、?HgSe、HgTe、MnO、MnS、MnTe、InSb、TiN、TiP、TiAs或TiSb?中的一種或兩種組成的一層或兩層以上結構。
11.?根據權利要求6-8任一項所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述背電極層是Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ni、V、Mo、石墨以及它們的氧化物、氮化物、碳化物中的一種或兩種以上組成的一層或兩層以上結構。
12.?根據權利要求8所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述透明半導體氧化物層為FTO,所述窗口層為CdS,所述吸光層為CdTe,所述背電極層為MoOx、Al和Cr組成的三層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





