[發明專利]一種自適應調節芯片工作電壓的方法和系統在審
| 申請號: | 201110322622.2 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103065671A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 季云建;丁杰;鮑東山 | 申請(專利權)人: | 廣東新岸線計算機系統芯片有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/24 | 分類號: | G11C7/24 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自適應 調節 芯片 工作 電壓 方法 系統 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路制造及應用技術領域,具體涉及一種自適應調節芯片工作電壓的方法和系統。
背景技術
隨著芯片制程的不斷提升,逐漸向更細微的工藝發展,例如,由80納米向40納米,甚至28納米微縮,尤其在制程達到40納米之后,作為半導體元件晶粒或品片基材的晶圓片(wafer)和晶圓片之間,芯片和芯片之間的差異越來越大,反映到實際系統上,不同的芯片需要的工作電壓差異很大,有的也許可以在0.9V上可以工作,可是有的芯片確需要0.95V才可以正常工作。
為了解決這個問題,現有技術中通常采用下述方式:
1)整體提供芯片的工作電壓到可以保證所有芯片都能工作的電壓,以上面的例子來說即以0.95V作為wafer量產時的工作電壓。
2)在芯片測試的時候,按工作電壓對不同的芯片進行分類,以上面的例子來說即把0.9V和0.95V的芯片加以區分,按芯片特性使用。
很顯然,第一種做法會讓0.9V的芯片帶來過大的功耗浪費,第二種做法會增加芯片的生產成本。
發明內容
有鑒于此,本發明所要解決的技術問題是提供一種自適應調節芯片工作電壓的方法和系統,可根據芯片自身的物理特性確定芯片的工作電壓。
本發明提供的一種自適應調節芯片工作電壓的方法,包括:
分別檢測得到各芯片的漏電流值;
保存所測得的漏電流值和/或漏電流值對應的工作電壓值;
根據漏電流值與工作電壓的對應關系或所保存的工作電壓值設置電源的電壓調整參數;
基于所述電壓調整參數為各芯片提供相應的工作電壓。
本發明提供的一種自適應調節芯片工作電壓的系統,包括:
檢測模塊,用于分別檢測得到各芯片的漏電流值;
量化編碼模塊,用于對所述漏電流值進行量化編碼;
存儲模塊,用于保存所述各芯片的漏電流編碼;
設置模塊,用于根據預定的漏電流編碼與工作電壓的對應關系設置電源的電壓調整參數;
電壓調節模塊,基于所述電壓調整參數將芯片調整為相應的工作電壓。
更適宜地,所述存儲模塊為下述介質之一:
電可編程熔絲eFuse,?電可擦可編程只讀存儲器EEPROM,閃存Flash。
本發明提供的另一種自適應調節芯片工作電壓的方法,包括:
掃描所有可能的工作電壓,確定各芯片的最低工作電壓;
保存各芯片的所述最低工作電壓值;
當芯片啟動后采用其相應的最低工作電壓供電。
本發明還提供另一種自適應調節芯片工作電壓的系統,包括:
電壓檢測單元,用于掃描所有可能的工作電壓,確定各芯片的最低工作電壓;
存儲單元,用于保存各芯片的所述最低工作電壓值;
電壓控制單元,用于調節芯片的工作電壓;當芯片啟動后,將芯片供電電壓調整為相應的最低工作電壓。
更適宜地,所述存儲模塊為下述介質之一:
電可編程熔絲eFuse,?電可擦可編程只讀存儲器EEPROM,閃存Flash。
綜上所述,本發明提供的調節芯片工作電壓的技術方案,通過獲取各芯片的漏電流值并保存,根據該漏電流值與工作電壓的關系,確定各芯片的最低工作電壓,并在芯片啟動后將芯片的工作電壓?調整到最低工作電壓。這樣針對芯片制程帶來的芯片差異造成的工作電壓不同的情況,可根據芯片自身的物理特性確定芯片的工作電壓,以有效控制芯片功耗,降低生產測試成本。
附圖說明
圖1?為本發明提供的自適應調節芯片工作電壓的原理示意圖;
圖2?為本發明提供的自適應調節芯片工作電壓的方法流程圖;
圖3?為本發明提供的自適應調節芯片工作電壓的系統架構示意圖;
圖4為本實施例中獲取漏電流值的原理示意圖;
圖5為本實施例中提供的另一種工作電壓配置過程示意圖;
圖6為本發明提供的另一種自適應調節芯片工作電壓的方法流程圖;
圖7為本發明提供的另一種自適應調節芯片工作電壓的系統架構示意圖。
具體實施方式
鑒于現有技術中存在的不足,本發明提供一種自適應調節芯片工作電壓的方法和系統,可根據芯片自身的物理特性確定芯片的工作電壓,以解決由于芯片制程帶來的芯片差異造成的電壓不同的問題,根據本發明可有效控制芯片功耗,降低生產測試成本。
圖1所示為本發明提供的自適應調節芯片工作電壓的原理示意圖。
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