[發(fā)明專利]成像器件封裝、制造成像器件封裝的方法以及電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110322602.5 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN102468313A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 瀬尾良太郎;伊藤達(dá);津久田幸彥;山田朋恭 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 曲瑩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成像 器件 封裝 制造 方法 以及 電子 裝置 | ||
1.一種成像器件封裝,包括:
成像器件芯片;
襯底,該成像器件芯片安裝于該襯底上;
導(dǎo)線,該導(dǎo)線在該成像器件芯片周圍的該襯底的外周邊緣處電連接該成像器件芯片和該襯底;
支承體,該支承體相對于該襯底支承光學(xué)構(gòu)件;以及
接合部分,在該襯底的外周邊緣處將該支承體接合到該襯底,同時密封該導(dǎo)線和該導(dǎo)線的接合端子。
2.如權(quán)利要求1所述的成像器件封裝,其中,在該支承體中,通過該接合部分接合到該襯底的接合表面包括不平部分。
3.如權(quán)利要求2所述的成像器件封裝,其中,在該不平部分中,凹陷部分和突出部分之間的邊界表面是傾斜表面,該邊界表面是與該導(dǎo)線的下降部分對著的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的成像器件封裝,其中該傾斜表面的角度基本等于該導(dǎo)線的下降角度。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的成像器件封裝,還包括排放部分,當(dāng)該支承體通過該接合部分接合到該襯底時,該排放部分排放限制在該接合部分、該支承體和該襯底之間的氣體。
6.如權(quán)利要求5所述的成像器件封裝,其中
該成像器件芯片部分結(jié)合到該襯底,且空間形成于除了結(jié)合部分之外的該成像器件芯片與該襯底之間,且
該排放結(jié)構(gòu)包括形成于該襯底中的通氣孔,且通過該空間和該通氣孔排出限制于該接合部分、該支承體和該襯底之間的氣體。
7.如權(quán)利要求5所述的成像器件封裝,其中
該成像器件芯片結(jié)合到該襯底,使得至少在該成像器件芯片的外周邊緣中,空間形成于該成像器件芯片與該襯底之間,
該接合部分包括沿該成像器件芯片的外周邊緣以環(huán)形施加到該支承體的粘合劑,且
該排放結(jié)構(gòu)包括形成于以環(huán)形施加的該粘合劑的一部分中的裂縫部分,且通過該空間和該裂縫部分排出限制于該接合部分、該支承體和該襯底之間的氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的成像器件封裝,其中,當(dāng)所述粘合劑以環(huán)形施加時,所述裂縫部分通過使施加結(jié)束位置偏移離開施加開始位置而形成在該施加開始位置和該施加結(jié)束位置之間。
9.如權(quán)利要求7所述的成像器件封裝,其中,當(dāng)所述粘合劑以環(huán)形施加時,所述裂縫部分通過增大特定位置中的施加速度而形成在該特定位置中。
10.如權(quán)利要求7所述的成像器件封裝,其中,當(dāng)所述粘合劑以環(huán)形施加時,所述裂縫部分通過在特定位置中減小從噴嘴的噴射壓力而形成在該特定位置。
11.一種制造成像器件封裝的方法,該成像器件封裝包括:
成像器件芯片;
襯底,該成像器件芯片安裝于該襯底上;
導(dǎo)線,該導(dǎo)線在該成像器件芯片周圍的該襯底的外周邊緣處電連接該成像器件芯片和該襯底;以及
支承體,該支承體相對于該襯底支承光學(xué)構(gòu)件,該方法包括:
在該襯底的該外周邊緣將該支承體接合到該襯底,同時密封該導(dǎo)線和該導(dǎo)線的接合端子。
12.一種電子裝置,包括:
成像器件封裝,包括:
成像器件芯片;
襯底,該成像器件芯片安裝于該襯底上;
導(dǎo)線,該導(dǎo)線在該成像器件芯片周圍的該襯底的外周邊緣處電連接該成像器件芯片和該襯底;
支承體,該支承體相對于該襯底支承光學(xué)構(gòu)件;以及
接合部分,在該襯底的外周邊緣處將該支承體接合到該襯底,同時密封該導(dǎo)線和該導(dǎo)線的接合端子。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





