[發明專利]濺射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯有效
| 申請號： | 201110322364.8 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102453862B | 公開（公告）日： | 2017-06-23 |
| 發明（設計）人： | 金子英雄;稻月判臣;吉川博樹 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/34;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人： | 楊海榮,穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濺射 用靶材 含硅膜 形成 方法 光掩模坯 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造光掩模坯的方法，其包括使用在室溫下的比電阻為50Ω·cm以上、導電性為n型的硅靶材通過DC濺射方法形成含硅膜，所述含硅膜含有氧和氮中的至少一種作為主要構成元素。
2.根據權利要求1所述的制造光掩模坯的方法，其中所述硅靶材為單晶。
3.根據權利要求1、2中任一項所述的制造光掩模坯的方法，其中所述含硅膜在包含反應性氣體的氣氛中形成，且所述反應性氣體含有氧和氮的至少一種。
4.根據權利要求1、2中任一項所述的制造光掩模坯的方法，其中所述硅靶材為其中晶體通過FZ方法生長的單晶硅。
5.一種光掩模，其為使用通過根據權利要求1至4中任一項所述的方法制造的光掩模坯而制得。
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