[發(fā)明專利]一種改變多晶柵硬質(zhì)膜去除順序來減少氧化柵損耗的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110322333.2 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102446731A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏崢穎 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/28 | 分類號(hào)： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改變 多晶 質(zhì)膜 去除 順序 減少 氧化 損耗 方法 | ||
1.一種減少氧化柵損耗的方法，其特征在于，包括下列步驟：
??在硅襯底上的氧化層上淀積多晶硅；
在多晶硅層上淀積硬質(zhì)掩膜層；
對(duì)硬質(zhì)掩膜層進(jìn)行部分刻蝕，殘留的部分作為硬掩膜，并利用該硬掩膜對(duì)多晶硅層進(jìn)行刻蝕形成多晶硅柵；
刻蝕硬質(zhì)掩膜層，將其去除；
對(duì)多晶硅柵極表面進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少氧化柵損耗的方法，其特征在于，所述硬質(zhì)掩膜層去除采用濕法去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減少氧化柵損耗的方法，其特征在于，所述對(duì)硬質(zhì)掩膜層進(jìn)行濕法去除是采用氫氟酸酸洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的減少氧化柵損耗的方法，其特征在于，所述硬質(zhì)掩膜層為二氧化硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少氧化柵損耗的方法，其特征在于，在對(duì)用于形成多晶硅柵極的多晶硅層進(jìn)行主刻蝕時(shí)，多晶硅柵極的柵極氧化層側(cè)壁上產(chǎn)生一層不溶于酸的聚合物。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
