[發明專利]一種電導法量測界面態密度的改進方法無效
| 申請號： | 201110322332.8 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102540040A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 曹永峰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電導 法量測 界面 密度 改進 方法 | ||
1.一種電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，包括下列步驟：
將待測MOS電容結構偏置在積累區，在積累區條件下，使用Cp-G模型測量固定偏壓下，掃描預設頻率情況下的值，計算可得各個頻率下的串聯電阻的對應值；
利用在積累區得到的隨測試頻率變化的串聯電阻模型，得到在反型區下的精確模型，從而得到更準確的界面態測試結果。
2.根據權利要求1所述的電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，所述Cp-G模型由量測模型等效而來，具體是積累電容Cox與電阻Rs串聯。
3.根據權利要求2所述的電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，所述量測模型為量測電容Cm和量測電阻Gm并聯而成。
4.根據權利要求3所述的電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，根據所述量測模型與所述Cp-G模型等效得到電阻Rs的數值，具體公式如下：
由公式（1）得到電阻Rs的計算公式：
其中，為所述量測模型的阻抗值，為所述Gp-G模型的阻抗值。
5.根據權利要求1所述的電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，所述預設頻率段與反型區使用頻率段相同。
6.根據權利要求5所述的電導法量測界面態密度的改進方法，其特征在于，所述預設頻率段從500Hz到1MHz。
7.根據權利要求4所述的電導法兩側界面態密度的改進方法，其特征在于，所述在反型區下的精確模型為耗盡電容Cc和耗盡電阻Gc并聯后與電阻Rs串聯。
8.根據權利要求7所述的電導法兩側界面態密度的改進方法，其特征在于，所述耗盡電容Cc和所述耗盡電阻Gc的計算方法分別為：
????
其中，。
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