[發明專利]甲基磺酸水溶液脫膠工藝

無效

• 申請號: 201110321842.3
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102500569A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 劉宏華;王欣;楊風彥;袁仲明
• 申請（專利權）人: 高佳太陽能股份有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/10;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 陳慧珍

技術領域

本發明涉及一種單、多晶硅片的脫膠工藝，尤其涉及一種采用甲基磺酸水溶液對單、多晶硅片進行脫膠的工藝。

背景技術

單晶硅和多晶硅在太陽能電池領域發揮著重要作用，生產過程中，需要將硅材料進行多線切割，首先將單晶硅棒或者多晶硅錠通過環氧樹脂膠粘接在玻璃板或樹脂板基材上，待單晶硅棒或者多晶硅錠切割完成后，通過專用工具將切割夾具、切割基材和完成切割的硅片一起轉移至脫膠機內進行沖洗和脫膠，一般分為三個步驟：沖洗、超聲洗和酸浸泡脫膠，在酸浸泡過程中存在下述缺點：(一)、硅片不能充分脫離，脫膠時間較長，當配制的乳酸濃度為10％～60％，溫度為30℃～75℃的條件下浸泡時間為200～600秒，時間相對較長；(二)、膠條過分脫離，膠條脫落后夾在硅片中間，難以清理；(三)、乳酸脫膠或者檸檬酸脫膠過程中均會產生刺激性氣味；(四)、脫膠成本較高，以DS271機型為例，單刀去膠用乳酸約2.0kg，成本約為20～25元，成本相對較高。

發明內容

本發明的目的在于解決上述問題，提供一種甲基磺酸水溶液脫膠工藝，其在酸浸泡過程中采用甲基磺酸水溶液，具有能夠縮短脫膠時間、硅片脫離充分、無刺激性氣味的氣體產生、成本更低的優點。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現：

一種甲基磺酸水溶液脫膠工藝，包括如下步驟：a、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量的水，設定加熱溫度，打開開關進行加熱；b、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量配制好濃度的甲基磺酸；c、將經沖洗和超聲洗過的硅片與切割基板一并放入酸浸泡槽中浸泡一段時間；d、將切割基板通過專用工具升起，將少量未脫落的硅片取下。

所述的步驟a中，設定的加熱溫度一般不超過70℃。

所述的步驟c中，浸泡時間為100～400秒。

所述脫膠機酸浸泡槽中加入的甲基磺酸濃度為1％時，其加熱溫度設定為60℃，浸泡時間為300秒。

所述脫膠機酸浸泡槽中加入的甲基磺酸濃度為10％時，其加熱溫度設定為55℃，浸泡時間為200秒。

所述脫膠機酸浸泡槽中加入的甲基磺酸濃度為99％時，其加熱溫度設定為40℃，浸泡時間為150秒。

本發明的有益效果為：該工藝采用濃度為1％～99％甲基磺酸水溶液，脫膠時間為100～400秒，硅片脫落比例均大于90％，在150～200升的甲基磺酸水溶液槽中進行脫膠，8寸多晶片可連續脫膠30000～40000片，6寸單晶片可連續脫膠30000～60000片，8寸單晶片可連續脫膠30000～50000片，對比現有技術，該工藝具有能夠縮短脫膠時間、硅片脫離充分、無刺激性氣味的氣體產生、成本更低的優點。

附圖說明

下面根據附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。

圖1為本發明所述的脫膠過程的狀態示意圖；

圖2為圖1中所示的基板與硅片的粘接示意圖。

圖中：

1、硅片；2、基板。

具體實施方式

如圖1～2所示，于實施例1中，本發明所述的甲基磺酸水溶液脫膠工藝，包括如下步驟：a、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量的水，設定加熱溫度為60℃，打開開關進行加熱；b、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量濃度為1％的甲基磺酸；c、將經沖洗和超聲洗過的硅片1與切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡300秒；d、將基板2通過專用工具升起，將少量未脫落的硅片1取下，硅片1脫落比例大于90％。

于實施例2中，本發明所述的甲基磺酸水溶液脫膠工藝，包括如下步驟：a、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量的水，設定加熱溫度為55℃，打開開關進行加熱；b、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量濃度為10％的甲基磺酸；c、將經沖洗和超聲洗過的硅片1與切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡200秒；d、將基板2通過專用工具升起，將少量未脫落的硅片1取下，硅片1脫落比例大于90％。

于實施例3中，本發明所述的甲基磺酸水溶液脫膠工藝，包括如下步驟：a、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量的水，設定加熱溫度為40℃，打開開關進行加熱；b、在脫膠機酸浸泡槽中加入一定量濃度為99％的甲基磺酸；c、將經沖洗和超聲洗過的硅片1與切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡150秒；d、將基板2通過專用工具升起，將少量未脫落的硅片1取下，硅片1脫落比例大于90％。