[發明專利]鈦基底上多孔鎳-銅氧化物納米線陣列無酶葡萄糖傳感器電極有效
| 申請號: | 201110321626.9 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN102507692A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 黃新堂;丁瑞敏;劉金平 | 申請(專利權)人: | 華中師范大學 |
| 主分類號: | G01N27/327 | 分類號: | G01N27/327 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 張安國;伍見 |
| 地址: | 430079 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 多孔 氧化物 納米 陣列 葡萄糖 傳感器 電極 | ||
1.一種無酶葡萄糖傳感器電極,其特征在于,該電極為鈦基底上鎳-銅氧物化納米顆粒交疊組裝的多孔納米線陣列構成,其單根納米線頂端直徑20±1納米,長度2±0.2微米,垂直、均勻、致密地分布在鈦金屬表面,呈現陣列;單根納米線由5±0.2納米的氧化銅和氧化鎳納米顆粒交叉疊組裝而成,納米線中具有5±0.2納米的納米孔均勻分布。
2.一種無酶葡萄糖傳感器電極制備方法,其特征在于,將清潔的大小為3×2×0.03cm3鈦金屬片置入0.32克二水氯化銅,0.24克六水氯化鎳和0.7克尿素的80毫升水溶液中;然后在聚四氟乙烯內膽的高壓釜中密封加熱到120℃,保持24小時;自然冷卻后將鈦金屬片取出,即得鈦基底上電極樣品的前驅體(Ni,Cu)2(OH)2CO3納米線陣列薄膜;再將鈦基底上前驅體(Ni,Cu)2(OH)2CO3納米線陣列薄膜置入箱式爐在空氣中350-500℃退火60分鐘,得到鈦基底上NiO和CuO納米顆粒交叉疊組裝的多孔納米線陣列薄膜狀無酶葡萄糖傳感器電極。
3.權利要求1所述的無酶葡萄糖傳感器電極應用,其特征在于,用于生物、醫學、化學、化工、電子儀器和電子信息類產品。
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