[發明專利]一種衛星材料表面充電在軌監測的裝置及方法有效
| 申請號: | 201110321511.X | 申請日: | 2011-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN102507717A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 湯道坦;秦曉剛;薛玉雄;柳青;陳益峰;李存惠 | 申請(專利權)人: | 中國航天科技集團公司第五研究院第五一〇研究所 |
| 主分類號: | G01N27/60 | 分類號: | G01N27/60 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 楊志兵;李愛英 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 衛星 材料 表面 充電 監測 裝置 方法 | ||
1.一種衛星材料表面充電在軌監測的方法,其特征在于:所述方法如下:
在真空條件下對衛星材料樣品發射電子,測量衛星材料樣品表面充電電位Vsurface和測量泄漏電流I,衛星材料樣品的體電阻ρ已知,根據公式Vsurface∝KρI得到比例關系系數K;在實際在軌監測中,通過在軌測量衛星材料的泄漏電流I,然后通過已求的比例常數系數K和已知的衛星材料的體電阻ρ,根據公式Vsurface∝KρI計算衛星材料的表面電位Vsurface。
2.一種衛星材料表面充電在軌監測的測試裝置,其特征在于:所述裝置包括電子槍(1)、非接觸式電位計探頭(2)、三維傳動機構(3)、非接觸式表面電位計(4)、電子束流密度測量系統(5)、監測電極(6)、支撐結構(7),第一電磁閥(8),第二電磁閥(9),擴散泵(10),第三電磁閥(11),機械泵(12),真空箱(13),真空過壁(14),測量電路接口(15)和測量電路(16);
其中,在真空箱(13)內部上方安裝電子槍(1),電子槍(1)發射端與監測電極(6)中心正對;監測電極(6)位于真空箱(13)內部且與真空箱(13)四圍內壁不接觸;樣品放在監測電極(6)表面;
非接觸式電位計探頭(2)位于真空箱(13)內部,三維傳動機構(3)安裝于真空箱(13)內部側壁;
非接觸式電位計探頭(2)與三維傳動機構(3)連接;非接觸式表面電位計(4)位于真空箱(13)外部,非接觸式表面電位計(4)通過導線穿入真空箱(13)內與非接觸式電位計探頭(2)連接;
電子束流密度測量系統(5)包括一個位于真空箱(13)內部的法拉第杯和一個位于真空箱外部的微電流計;法拉第杯位于電子槍(1)輻射范圍內但不在電子槍(1)的正下方,法拉第杯的底部與樣品表面不接觸;微電流計通過導線穿入真空箱(13)內與法拉第杯連接;
真空箱(13)下底面開孔,真空過壁(14)設置于該孔中;
監測電極(6)下部安裝支撐結構(7);監測電極(6)下端連接導線,導線依次穿過支撐結構(7)和真空過壁(14)后到真空箱(13)外分為兩根,一根接地,另一根通過測量電路輸入端接口(15)與測量電路(16)連接;
機械泵(12)、擴散泵(10)和第二電磁閥(9)通過管路依次串聯后通過第一電磁閥(8)與真空箱(13)連接,第三電磁閥(11)并聯于擴散泵(10)和第二電磁閥(9)的兩端,且第三電磁閥(11)一端與第一電磁閥(8)連接,另一端與機械泵(12)連接;
其中,監測電極(6)材料為鋁或銅;支撐結構(7)為絕緣材料;測量電路(16)為G歐姆量級輸入阻抗的放大電路。
3.如權利要求2所述的一種衛星材料表面充電在軌監測裝置,其特征在于:電子槍(1)發射端到樣品表面的距離為20~50cm。
4.如權利要求2所述的一種衛星材料表面充電在軌監測裝置,其特征在于:非接觸式電位計探頭(2)到樣品表面的距離為1~2cm。
5.一種衛星材料表面充電在軌監測的方法,使用如權利要求2所述的一種衛星材料表面充電在軌監測的裝置,其特征在于:所述方法具體步驟如下:
步驟一、將樣品固定在監測電極(6)表面;
步驟二、打開機械泵(12),然后打開第一電磁閥(8)和第三電磁閥(11)抽真空,當真空箱(13)內真空度≤10-1Pa時打開擴散泵(10),關閉第三電磁閥(11)并打開第二電磁閥(9),抽真空至真空箱(13)內真空度≤10-3Pa;
步驟三、打開電子槍(1)發射電子束,電子束的束流密度為0.2~5.0nA/cm2,能量為5~30KeV;
步驟四、通過三維傳動機構(3)運動,調節非接觸式電位計探頭(2)的位置,當對樣品表面電位進行測量時使非接觸式電位計探頭(2)位于樣品和監測電極(6)的正上方,當非接觸式表面電位計(4)顯示讀數時,將探頭(2)移出電子槍(1)的輻射范圍;待非接觸式表面電位計(4)顯示樣品表面電位穩定后,樣品表面充電達到平衡,記錄樣品表面充電電位Vsurface,并通過測量電路(16)測量監測電極(6)的泄漏電流I,最后通過已知的樣品的體電阻,根據公式Vsurface∝KρI代入數值,得到樣品表面電位和泄漏電流的比例關系系數K;其中,Vsurface為樣品的表面電位,K為比例常數系數,ρ為樣品的體電阻,I為泄露電流;
步驟五、改變電子槍(1)的束流密度和電子能量,重復步驟四,得到多次K值后求平均值,得到準確的比例常數系數K;
步驟六、在實際在軌監測中,通過在軌測量衛星材料的泄漏電流I,然后通過已求的比例常數系數K和已知的衛星材料的體電阻ρ,計算衛星材料的表面電位Vsurface;
其中,所述樣品為衛星表面用典型材料。
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