[發(fā)明專利]具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110321260.5
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN103050435A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯孟綜
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體晶圓，該晶圓具有相對的主要前表面及后表面，并由一側(cè)邊連接在一起，該晶圓可以進(jìn)行包括電鍍一嵌鑲層于該晶圓上的工藝；

在電鍍該嵌鑲層之前，施加一高分子涂布于該晶圓的該側(cè)邊，該高分子涂布施加于該側(cè)邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分，該高分子涂布是形成一高分子層作為防止該嵌鑲層形成于該晶圓的該側(cè)邊的一阻障層；

其中該高分子層是由一電源所驅(qū)動的一電泳技術(shù)來實(shí)施。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其中施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的該高分子層的寬度介于3～5mm，且該主要前表面及后表面具有大于3～5mm的半徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其中施加該高分子涂布包含：

將該晶圓與一高分子液體接觸使得該高分子涂布施加于該晶圓的該側(cè)邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分；以及

熱固化該晶圓的該側(cè)邊的該高分子液體以形成該高分子層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其中施加該高分子涂布是在形成一薄的銅種子層之后及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加，以及

該高分子涂布的施加是在具有低壓力的惰性氣體下進(jìn)行，以至少降低該種子層在該高分子液體固化時(shí)被氧化。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其中施加該高分子涂布包括：

將該晶圓支撐于充滿該高分子液體的一承載容器之上，使得該晶圓的該主要前表面及后表面與該高分子液體一上表面的平面垂直，且使得該側(cè)邊的至少一部分但是不使該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分浸入該高分子液體中；以及

將該晶圓在大致與該主要前表面及后表面垂直的一軸向上旋轉(zhuǎn)，以使該晶圓的該側(cè)邊連續(xù)接觸部分可以被浸入及移出該承載容器內(nèi)的該高分子液體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于其中熱固化該高分子液體包含在該晶圓的該側(cè)邊連續(xù)接觸部分被移出該承載容器內(nèi)的該高分子液體時(shí)加以熱固化該側(cè)邊連續(xù)接觸部分上的該高分子液體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造方法，其特征在于還包括：

在施加該高分子涂布之后，電鍍形成該嵌鑲層于該晶圓之上，該嵌鑲層包覆未被該高分子層所包覆的該主要前表面及后表面的部分。

8.一種具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造系統(tǒng)，其特征在于其包括：

一電源，可與一半導(dǎo)體晶圓連接，該晶圓具有相對的主要前表面及后表面，并由一側(cè)邊連接在一起，該晶圓可以進(jìn)行包括電鍍一嵌鑲層于該晶圓上的工藝；

一高分子層涂布系統(tǒng)，可以在電鍍該嵌鑲層之前施加一高分子涂布于該晶圓的該側(cè)邊，該高分子涂布施加于該晶圓的該側(cè)邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分，該高分子涂布是形成一高分子層作為防止該嵌鑲層形成于該晶圓的該側(cè)邊的一阻障層；

其中該高分子層涂布系統(tǒng)是由一電源所驅(qū)動的一電泳技術(shù)來施加該高分子層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造系統(tǒng)，其特征在于其中所述的施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的該高分子層的寬度介于3～5mm，且該主要前表面及后表面具有大于3～5mm的半徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造系統(tǒng)，其特征在于其中該高分子層涂布系統(tǒng)包含：

一基座，以將該晶圓與一高分子液體接觸，使得該高分子涂布施加于該晶圓的該側(cè)邊但是沒有施加于該晶圓的該主要前表面及后表面的至少一部分；以及

一熱源，熱固化該晶圓的該側(cè)邊的該高分子液體以形成該高分子層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有側(cè)面保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓制造系統(tǒng)，其特征在于其中該高分子層涂布系統(tǒng)施加該高分子涂布是在形成一薄的銅種子層之后及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加，以及該高分子層涂布系統(tǒng)還包含：

一反應(yīng)室，在其中可將該晶圓密封以進(jìn)行該熱源的熱固化該高分子涂布，該反應(yīng)室為具有低壓力的惰性氣體環(huán)境，以至少降低該種子層在該高分子液體固化時(shí)被氧化。