[發(fā)明專利]帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110320520.7
• 申請(qǐng)日: 2011-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN103063339A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹剛;劉勝;汪學(xué)方
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 劉勝
• 主分類號(hào): G01L1/18
• 分類號(hào): G01L1/18;G01L9/02
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李平

1.一種帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片，包括：硅襯底、壓敏電阻、金屬導(dǎo)線、金屬焊盤、保護(hù)層、屏蔽層、重?fù)诫s硅導(dǎo)線，硅襯底上的壓力膜片表面設(shè)有由數(shù)個(gè)壓敏電阻組成的惠斯通電橋，壓力膜片上設(shè)有保護(hù)層，數(shù)個(gè)壓敏電阻經(jīng)重?fù)诫s硅導(dǎo)線、金屬導(dǎo)線與保護(hù)層上的金屬焊盤連接，其特征在于壓力膜片與保護(hù)層之間設(shè)有一層用于改善傳感器性能經(jīng)過摻雜處理的屏蔽層，屏蔽層將保護(hù)層與壓敏電阻隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片，其特征在于屏蔽層摻雜處理的類型與壓敏電阻摻雜處理的類型相反，即當(dāng)壓敏電阻為N型摻雜時(shí)，屏蔽層的摻雜類型為P型，當(dāng)壓敏電阻為P型摻雜時(shí)，屏蔽層的摻雜類型為N型相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片，其特征在于屏蔽層經(jīng)擴(kuò)散或離子注入工藝制作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片，其特征在于所述壓敏電阻摻雜類型為N型或P型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有屏蔽層的硅壓阻式壓力傳感器芯片，其特征在于所述保護(hù)層上設(shè)有數(shù)個(gè)接觸孔，接觸孔中填有金屬。