[發明專利]半導體存儲器有效
| 申請號: | 201110320285.3 | 申請日: | 2011-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN102456411A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 筱田建 | 申請(專利權)人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/24 | 分類號: | G11C16/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲器 | ||
1.一種半導體存儲器,其特征在于,具有:
多個存儲單元;
至少一根字線,與所述多個存儲單元連接;
多個第一副位線以及多個第二副位線,和所述字線交叉且與所述多個存儲單元連接;
多個選擇器元件,一端連接于所述第一副位線的每一個;
至少一根主位線,對所述選擇器元件的每相互鄰接的兩個進行設置且與這兩個選擇器元件的另一端共同連接;
至少一根固定電位線,與所述主位線并置,并且與固定電位連接;以及
電壓生成電路,與所述第二副位線連接。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器,其特征在于,還具有:驅動電路,以不同的定時對所述多個選擇器元件的相互鄰接的兩個進行導通驅動。
3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲器,其特征在于,
所述第一副位線以及所述第二副位線設置在第一層間絕緣層上,
所述主位線以及所述固定電位線設置在覆蓋所述第一副位線以及所述第二副位線的第二層間絕緣層上,
與所述選擇器元件的相互鄰接的兩個連接的所述第一副位線的一方隔著所述第二層間絕緣層與所述主位線對置。
4.根據權利要求3所述的半導體存儲器,其特征在于,與多個存儲單元的每一個連接的所述第一副位線以及第二副位線隔著所述第二層間絕緣層與所述主位線對置。
5.根據權利要求3所述的半導體存儲器,其特征在于,與所述選擇器元件的相互鄰接的兩個連接的所述第一副位線的另一方隔著所述第二層間絕緣層與所述固定電位線對置。
6.根據權利要求2所述的半導體存儲器,其特征在于,所述主位線以及所述固定電位線交替配置。
7.根據權利要求2所述的半導體存儲器,其特征在于,所述固定電位線與接地電位連接。
8.根據權利要求2所述的半導體存儲器,其特征在于,所述主位線的設置位置相對于與所述多個選擇器元件的相互鄰接的兩個的一方連接的所述存儲單元的設置位置的配置關系,和所述固定電位線的設置位置相對于與所述多個選擇器元件的相互鄰接的兩個的另一方連接的所述存儲單元的設置位置的配置關系是相同的。
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