[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110320098.5 | 申請日： | 2006-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102509733A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中村理;樋口美由紀(jì);渡邊康子;荒井康行 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 錢慰民 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光裝置，包括：
具有第一表面和作為所述第一表面的背表面的第二表面的第一基板；
在所述第一基板的第一表面上面的發(fā)光元件；
第二基板；
在所述第二基板上面用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的像素電路，所述第二基板被設(shè)置成面向所述第一基板的第二表面；以及
被設(shè)置成面向所述第一基板的第一表面以覆蓋所述發(fā)光元件的第三基板，
其中所述發(fā)光元件被電連接到所述像素電路。
2.一種發(fā)光裝置，包括：
具有第一表面和作為所述第一表面的背表面的第二表面的第一基板；
在所述第一基板的第一表面上面的發(fā)光元件；
第二基板；
在所述第二基板上面用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的像素電路，所述第二基板被設(shè)置成面向所述第一基板的第二表面；以及
被設(shè)置成面向所述第一基板的第一表面以覆蓋所述發(fā)光元件的第三基板，
其中所述像素電路包括用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管，以及
其中所述驅(qū)動晶體管被電連接到所述發(fā)光元件。
3.一種發(fā)光裝置，包括：
第一基板；
在所述第一基板上面的無源矩陣發(fā)光元件；
第二基板；以及
在所述第二基板上面用于驅(qū)動所述無源矩陣發(fā)光元件的行驅(qū)動器和列驅(qū)動器，所述第二基板被設(shè)置成面向所述第一基板，以覆蓋所述無源矩陣發(fā)光元件，
其中所述發(fā)光元件被電連接到所述行驅(qū)動器和所述列驅(qū)動器。
4.一種發(fā)光裝置，包括：
第一基板；
在所述第一基板上面的發(fā)光元件的第一電極；
形成在所述發(fā)光元件的第一電極上面的包含發(fā)光物質(zhì)的層；
設(shè)置成面向所述第一基板的第二基板；
在所述第二基板上面用于驅(qū)動發(fā)光元件的晶體管；
在所述晶體管上面的層間絕緣膜；以及
在所述層間絕緣膜上面電連接到所述晶體管的源極區(qū)域或漏極區(qū)域的第二電極；
其中電連接到所述晶體管的源極區(qū)域或漏極區(qū)域的所述第二電極被電連接到所述第一電極。
5.一種發(fā)光裝置，包括：
基板；
在所述基板上面的發(fā)光元件；以及
包括用于驅(qū)動發(fā)光元件的像素電路的膜，所述膜被設(shè)置成面向所述基板，
其中所述發(fā)光元件被電連接到所述像素電路。
6.一種發(fā)光裝置，包括：
基板；
在所述基板上面的發(fā)光元件；以及
包括用于驅(qū)動發(fā)光元件的像素電路的膜，所述膜被設(shè)置成面向所述基板，
其中用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的像素電路包括用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管；以及
其中所述發(fā)光元件被電連接到所述驅(qū)動晶體管。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板用各向異性導(dǎo)電膜彼此相附著，從而所述發(fā)光元件被電連接到所述像素電路。
8.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板用各向異性導(dǎo)電膜彼此相附著，從而所述發(fā)光元件被電連接到所述驅(qū)動晶體管。
9.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板用各向異性導(dǎo)電膜彼此相附著，從而所述發(fā)光元件被電連接到所述行驅(qū)動器或所述列驅(qū)動器。
10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板和所述膜用各向異性導(dǎo)電膜彼此相附著，從而所述發(fā)光元件被電連接到所述像素電路。
11.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板和所述膜用各向異性導(dǎo)電膜彼此相附著，從而所述發(fā)光元件被電連接到所述驅(qū)動晶體管。
12.如權(quán)利要求所述1的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的每一個是透光基板。
13.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的每一個是透光基板。
14.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的每一個是透光基板。
15.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的每一個是透光基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
