[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池堆疊制造方法及其薄膜太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110320056.1 | 申請日： | 2011-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN102544134A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 彭振維;盧俊雄;黃昭雄;張評款 | 申請（專利權）人： | 聯相光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/076;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛義丹;郭鴻禧 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 太陽能電池 堆疊 制造 方法 及其 | ||
1.一種薄膜太陽能電池，其包含：
基板；
非晶硅層，位于該基板上；
第一導電型層，位于該非晶硅層上；
本質型堆疊層，位于該第一導電型層上，且該本質型堆疊層由下而上由不同沉積率的第一本質型層、第二本質型層及第三本質型層堆疊而成，該第二本質型層，相對于該第一本質型層及該第三本質型層具有較高的沉積率；
第二導電型層，位于該本質型堆疊層上；以及
背電極層，位于該第二導電型層上方，該背電極層取出電能。
2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該第二本質型層相對于該第三本質型層具有較高的結晶率。
3.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/10至1/20倍，且該第三本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/2至1/4倍。
4.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層在沉積率為每秒1至3埃下形成，且該第二本質型層在沉積率為每秒3至15埃下形成。
5.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層為正向取向的本質型半導體層。
6.一種薄膜太陽能電池堆疊制造方法，包含下列步驟：
準備基板；
形成非晶硅層于該基板上；
形成第一導電型層于該非晶硅層上；
形成本質型堆疊層于該第一導電型層上，且該本質型堆疊層由下而上由不同沉積率的第一本質型層、第二本質型層及第三本質型層堆疊而成，該第二本質型層，相對于該第一本質型層及該第三本質型層具有較高的沉積率；
形成第二導電型層于該本質型堆疊層上；以及
形成背電極層于該第二導電型層上方，該背電極層取出電能。
7.如權利要求6所述的薄膜太陽能電池堆疊制造方法，其中該第二本質型層相對于該第三本質型層具有較高的結晶率。
8.如權利要求6所述的薄膜太陽能電池堆疊制造方法，其中該第一本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/10～1/20倍，且該第三本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/2～1/4倍。
9.如權利要求6所述的薄膜太陽能電池堆疊制造方法，其中該第一本質型層的沉積率為每秒1至3埃。
10.如權利要求6所述的薄膜太陽能電池堆疊制造方法，其中該第二本質型層的沉積率為每秒3至15埃。
11.一種薄膜太陽能電池，其包含：
基板；
非晶硅層，位于該基板上；
第一導電型層，位于該非晶硅層上；
本質型堆疊層，位于該第一導電型層上，且該本質型堆疊層由下而上由不同沉積率的第一本質型層及第二本質型層堆疊而成，該第二本質型層，相對于該第一本質型層具有較高的沉積率；
第二導電型層，位于該本質型堆疊層上；以及
背電極層，位于該第二導電型層上方，該背電極層取出電能。
12.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/10至1/20倍。
13.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層在沉積率為每秒1至3埃下形成，且該第二本質型層在沉積率為每秒3至15埃下形成。
14.如權利要求11所述的薄膜太陽能電池，其中該第一本質型層為正向取向的本質型半導體層。
15.一種薄膜太陽能電池堆疊制造方法，包含下列步驟：
準備基板；
形成非晶硅層于該基板上；
形成第一導電型層于該非晶硅層上；
形成本質型堆疊層于該第一導電型層上，且該本質型堆疊層由下而上由不同沉積率的第一本質型層及第二本質型層堆疊而成，該第二本質型層，相對于該第一本質型層具有較高的沉積率；
形成第二導電型層于該本質型堆疊層上；以及
形成背電極層于該第二導電型層上方，該背電極層取出電能。
16.如權利要求15所述的薄膜太陽能電池堆疊制造方法，其中該第一本質型層的厚度為該第二本質型層的厚度的1/10～1/20倍。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
