[發明專利]帶有集成箝位電路的累積型場效應管

無效

• 申請號: 201110320036.4
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102468298A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 伍時謙;安荷·叭剌;王曉彬
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/335
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種集成電路，其特征在于，該集成電路包含：

一個半導體襯底，在該襯底上形成帶有柵極、源極和漏極區的累積型場效應管；

以及一個肖特基二極管，形成在所述的半導體襯底上，并與所述的累積FET型場效應管中所述的漏極和源極區并聯耦合，以獲得所需的擊穿電壓。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述的柵極區還包括多個空間分離的溝槽柵極，所述的肖特基二極管的寬度由所述的多個溝槽柵極的一個子集的相鄰溝槽柵極之間的間距所限定。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包含空間分離的p-摻雜區，其中所述的肖特基二極管形成在空間分離的p-摻雜區之間。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述的空間分離的p-摻雜區的寬度范圍為0.1至1微米，相鄰的p-摻雜區之間的距離在0.5至2微米之間。

5.一種集成電路，其特征在于，該集成電路包含：

一個半導體襯底，在該襯底上形成帶有柵極、源極和漏極區的累積型場效應管；

以及一個集電極-發射極擊穿電壓二極管，形成在所述的半導體襯底上，并與所述的累積型場效應管中所述的漏極和源極區并聯耦合，以獲得所需的擊穿電壓。

6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述的集電極-發射極擊穿電壓二極管是由一個雙極晶體管構成，該雙極晶體管包括在半導體襯底上部，用第一導電類型摻雜的第一區，在所述的第一區下面，用第二導電類型摻雜的第二區，以及在第二區下面，用第一導電類型摻雜的一部分所述的半導體襯底。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述的第二區未接地。

8.根據權利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述第一導電類型摻雜的第一區連接到所述的累積型場效應管的源極，所述的在第二區下面的所述的那部分半導體襯底連接到所述的累積型場效應管的漏極。

9.根據權利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述的柵極區還包含多個空間分離的溝槽柵極，所述的第一和第二區沉積在所述的多個溝槽柵極子集的相鄰的溝槽柵極之間。

10.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述的第二區摻雜的表面摻雜濃度在5×10¹²至3×10¹³cm^-2的范圍內。

11.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述的柵極區還包含多個空間分離的溝槽柵極，所述的集電極-發射極擊穿電壓二極管由多個疊加的摻雜區限定，疊加的摻雜區是利用其中一個所述的摻雜區中的第一導電類型以及在第二個所述的多個摻雜區中的第二導電類型形成的，所述的多個摻雜區的第二個位于具有第一導電類型的上區以及具有第一導電類型的下區之間。

12.一種集成電路，其特征在于，該集成電路包含：

一個半導體襯底，在該襯底上形成帶有柵極、源極和漏極區的累積型場效應管；

以及一系列背對背穩壓二極管，形成在所述的半導體襯底上，并與所述的漏極和源極區并聯耦合，以獲得所需的擊穿電壓。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其特征在于，所述的一系列背對背穩壓二極管由多個p-n結限定。

14.根據權利要求12所述的集成電路，其特征在于，所述的一系列背對背穩壓二極管位于所述的半導體襯底頂面上方的一個平面內。

15.根據權利要求14所述的集成電路，其特征在于，還包括一個位于電介質層上方的多晶硅層，電介質層位于所述的半導體襯底的頂面上，其中所述的一系列背對背穩壓二極管就形成在所述的多晶硅層中。

16.一種用于制備累積型場效應管的方法，其特征在于，該方法包含：

在半導體襯底上制備柵極、源極和漏極區；

并且在所述的半導體襯底上，制備一個p-n結，與所述的源極和漏極區并聯，所述的p-n結有助于獲得箝制的擊穿電壓。