[發(fā)明專利]析氫陰極材料的低溫制備方法及該析氫陰極材料的應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110319969.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-10-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103060839A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈曉彥;趙偉;王文韜;丁天朋;段曉菲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新奧科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25B11/00 | 分類號(hào): | C25B11/00;C25B1/04;C25B9/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 李新紅 |
| 地址: | 065001 中國(guó)河北省廊坊*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 材料 低溫 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種析氫陰極材料的低溫制備方法,所述方法包括如下步驟:
將活潑金屬進(jìn)行表面處理;
將配制好的陰極活性材料的前驅(qū)反應(yīng)溶液在零下20℃至0℃的溫度進(jìn)行恒溫處理;
將經(jīng)過(guò)表面處理的活潑金屬放置在陰極活性材料的前驅(qū)反應(yīng)溶液中,并且在零下20℃至0℃的溫度進(jìn)行攪拌浸鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述方法還包括:將浸鍍后的活潑金屬?gòu)那膀?qū)反應(yīng)溶液中取出并沖洗吹干之后,用作析氫陰極材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述活潑金屬選自銅、鋁、鎳和不銹鋼中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述陰極活性材料的前驅(qū)反應(yīng)溶液選自氯鉑酸溶液、硝酸銀溶液和氯金酸溶液中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述氯鉑酸溶液為1mg/L-100mg/L的乙醇溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述表面處理包括:用堿性溶液浸泡去除所述活潑金屬的表面油脂以及用高氯酸或硫酸浸泡去除所述活潑金屬的表面氧化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述攪拌浸鍍的時(shí)間為5min-3h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述攪拌浸鍍的時(shí)間為10min-30min。
9.一種由上述權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述方法制備的析氫陰極材料在光電催化制氫中的應(yīng)用。
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