[發(fā)明專利]氮化物類半導(dǎo)體激光元件和光學(xué)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110319247.6
• 申請(qǐng)日: 2011-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN102457017A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村山佳樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/028
• 分類號(hào): H01S5/028
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，具備：

包含發(fā)光層的、由具有出射側(cè)諧振器面和反射側(cè)諧振器面的氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體元件層，和

形成于所述出射側(cè)諧振器面的端面涂膜，

所述端面涂膜具有與所述出射側(cè)諧振器面接觸形成的由氮化鋁構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜、形成于所述第1電介質(zhì)膜的所述出射側(cè)諧振器面相反側(cè)的由氧氮化鋁構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜、形成于所述第2電介質(zhì)膜的所述第1電介質(zhì)膜相反側(cè)的由氧化鋁構(gòu)成的第3電介質(zhì)膜、形成于所述第3電介質(zhì)膜的所述第2電介質(zhì)膜相反側(cè)的由氧氮化鋁構(gòu)成的第4電介質(zhì)膜和形成于所述第4電介質(zhì)膜的所述第3電介質(zhì)膜相反側(cè)的由氧化鋁構(gòu)成的第5電介質(zhì)膜。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第1電介質(zhì)膜由所述氮化鋁的多晶膜構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求2所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

包含所述發(fā)光層的所述半導(dǎo)體元件層具有由所述氮化物類半導(dǎo)體的大致(0001)面構(gòu)成的主表面，

由所述氮化鋁構(gòu)成的所述多晶膜中，結(jié)晶結(jié)構(gòu)沿所述發(fā)光層的大致[0001]方向取向。

4.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第2電介質(zhì)膜由所述氧氮化鋁的多晶膜構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求4所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

包含所述發(fā)光層的所述半導(dǎo)體元件層具有由所述氮化物類半導(dǎo)體的大致(0001)面構(gòu)成的主表面，

由所述氧氮化鋁構(gòu)成的所述多晶膜中，結(jié)晶結(jié)構(gòu)沿所述發(fā)光層的大致[0001]方向取向。

6.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第3電介質(zhì)膜和第5電介質(zhì)膜中至少任一個(gè)由氧化鋁的非晶膜構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第1電介質(zhì)膜和所述第2電介質(zhì)膜中至少任一個(gè)的厚度小于所述第3電介質(zhì)膜、所述第4電介質(zhì)膜和所述第5電介質(zhì)膜中至少任一個(gè)的厚度。

8.如權(quán)利要求7所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第1電介質(zhì)膜和所述第2電介質(zhì)膜的各自的厚度小于所述第3電介質(zhì)膜、第4電介質(zhì)膜和所述第5電介質(zhì)膜的各自的厚度。

9.如權(quán)利要求8所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第2電介質(zhì)膜的厚度為所述第1電介質(zhì)膜的厚度以上。

10.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

由所述氧氮化鋁構(gòu)成的所述第2電介質(zhì)膜和所述第4電介質(zhì)膜以AlOxNy表示，這里，0≤x＜1.5，0＜y＜1，

所述AlOxNy中，滿足x＜y的關(guān)系。

11.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第1電介質(zhì)膜、所述第2電介質(zhì)膜、所述第3電介質(zhì)膜、所述第4電介質(zhì)膜和所述第5電介質(zhì)膜中至少2個(gè)電介質(zhì)膜相互接觸。

12.如權(quán)利要求11所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第2電介質(zhì)膜與所述出射側(cè)諧振器面相反側(cè)的所述第1電介質(zhì)膜的表面接觸，

所述第3電介質(zhì)膜與所述第1電介質(zhì)膜相反側(cè)的所述第2電介質(zhì)膜的表面接觸，

所述第4電介質(zhì)膜與所述第2電介質(zhì)膜相反側(cè)的所述第3電介質(zhì)膜的表面接觸，

所述第5電介質(zhì)膜與所述第3電介質(zhì)膜相反側(cè)的所述第4電介質(zhì)膜的表面接觸。

13.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述端面涂膜還具有形成于所述第5電介質(zhì)膜的所述第4電介質(zhì)膜相反側(cè)的由氧氮化鋁構(gòu)成的第6電介質(zhì)膜和形成于所述第6電介質(zhì)膜的所述第5電介質(zhì)膜相反側(cè)的由氧化鋁構(gòu)成的第7電介質(zhì)膜。

14.如權(quán)利要求13所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于：

所述第1電介質(zhì)膜和所述第2電介質(zhì)膜中至少任一個(gè)的厚度小于所述第6電介質(zhì)膜和所述第7電介質(zhì)膜中至少任一個(gè)的厚度。