[發明專利]基于氮化物的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110319165.1
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102569423A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 樸基烈;全祐徹;樸永煥
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種基于氮化物的半導體器件，包括：

基底；

外延生長層，設置在所述基底上，并且在其內部產生二維電子氣；以及

電極結構，設置在所述外延生長層上，

其中，所述電極結構包括：

柵極；

源極，設置在所述柵極的一側；以及

漏極，設置在所述柵極的另一側，并具有延伸至所述外延

生長層的內部以接觸所述二維電子氣的延伸部。

2.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述漏極是與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極。

3.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，

所述柵極包括與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極，以及

所述源極包括與所述外延生長層形成歐姆接觸的歐姆電極。

4.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有島形截面。

5.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部被形成為具有柵格圖案。

6.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有環形截面。

7.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述基底?至少包括硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。

8.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述外延生長層包括：

使用所述基底作為籽晶層而生長的下部氮化物層；以及

使用所述下部氮化物層作為籽晶層而生長的并具有比所述下部氮化物層的能量帶隙更寬的能量帶隙的上部氮化物層。

9.一種用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，包括：

制備基底；

在所述基底上形成外延生長層，所述外延生長層在其內部產生二維電子氣；以及

在所述外延生長層上形成電極結構，

其中，形成所述電極結構包括：

形成柵極；

在所述柵極的一側上形成源極；以及

在所述柵極的另一側上形成漏極，所述漏極具有延伸至所述外延生長層的內部以接觸所述二維電子氣的延伸部。

10.根據權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，

其中，形成所述漏極包括：

在所述外延生長層的漏極形成區域中形成暴露所述二維電子氣的凹陷部；以及

形成填充所述凹陷部的金屬層以形成與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極。

11.根據權利要求10所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，通過執行用于在所述基于氮化物的半導體器件之間進行分離的臺面工藝來進行所述凹陷部的形成。

12.根據權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，所述基底的制備包括至少制備硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。

13.根據權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述外延生長層包括：

通過使用所述基底作為籽晶層在所述基底上執行外延生長處理來生長下部氮化物層；以及

使用所述下部氮化物層作為籽晶層在所述下部氮化物層上生長上部氮化物層，所述上部氮化物層具有比所述下部氮化物層更寬的能量帶隙。