[發(fā)明專利]一種全息雙閃耀光柵的制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110318711.X
• 申請(qǐng)日: 2011-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN102323635A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉全;吳建宏;陳明輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B5/18
• 分類號(hào): G02B5/18;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種全息雙閃耀光柵制作方法，所述全息雙閃耀光柵的兩個(gè)閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，雙閃耀光柵分為兩個(gè)區(qū)，對(duì)應(yīng)A閃耀角的為A光柵區(qū)，對(duì)應(yīng)B閃耀角的為B光柵區(qū)，其特征在于：所述制作方法包括下列步驟：

1)在基片上第一次涂布光刻膠；

2)對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次光刻，形成第一光刻膠光柵；

3)遮擋所述B光柵區(qū)，在A光柵區(qū)上，以所述第一光刻膠光柵為掩模，對(duì)基片進(jìn)行正向離子束刻蝕，將第一光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由A閃耀角決定；

4)清洗基片，去除剩余光刻膠；

5)繼續(xù)遮擋B光柵區(qū)，以所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對(duì)基片進(jìn)行斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對(duì)離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成A閃耀角的閃耀光柵；

6)在基片上第二次涂布光刻膠；

7)先遮擋B光柵區(qū)，利用已制備完成的A光柵區(qū)，采用光學(xué)莫爾條紋法進(jìn)行莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)，然后撤掉遮擋進(jìn)行第二次光刻，制作第二光刻膠光柵，所述第二光刻膠光柵與第一光刻膠光柵的周期一致；

8)遮擋所述A光柵區(qū)，在B光柵區(qū)上，以所述第二光刻膠光柵為掩模，對(duì)基片進(jìn)行正向離子束刻蝕，將第二光刻膠光柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵，刻蝕深度由B閃耀角決定；

9)清洗基片，去除剩余光刻膠；

10)繼續(xù)遮擋A光柵區(qū)，以所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵為掩模，對(duì)基片進(jìn)行斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì)光柵掩模對(duì)離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成B閃耀角的閃耀光柵；

11)清洗基片，得到雙閃耀角的閃耀光柵。

2.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：在對(duì)A光柵區(qū)進(jìn)行所述正向離子束刻蝕前，還包括對(duì)第一光刻膠光柵進(jìn)行灰化處理，以調(diào)節(jié)第一光刻膠光柵結(jié)構(gòu)的占寬比。

3.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：在對(duì)B光柵區(qū)進(jìn)行所述正向離子束刻蝕前，還包括對(duì)第二光刻膠光柵進(jìn)行灰化處理，以調(diào)節(jié)第二光刻膠光柵結(jié)構(gòu)的占寬比。

4.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF₃反應(yīng)離子束刻蝕方法，其具體的工藝參數(shù)為：Ar離子束刻蝕時(shí)，離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強(qiáng)為2.0×10^-2Pa；CHF₃反應(yīng)離子束刻蝕時(shí)，離子能量為300eV至470eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為200V至300V，工作壓強(qiáng)為1.4×10^-2Pa。

5.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的占寬比為0.25-0.6，周期為300nm至3000nm。

6.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵和所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵同時(shí)為矩形光柵或梯形光柵。

7.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質(zhì)光柵或所述B光柵區(qū)的同質(zhì)光柵的槽深使斜向Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質(zhì)光柵的一頂角斜射到與該頂角相對(duì)的底角所需的角度。

8.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述斜向Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為：離子能量380eV至520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強(qiáng)2.0×10^-2Pa，刻蝕角度為8°至40°。

9.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述第一次涂布的光刻膠的厚度或者所述第二次涂布的光刻膠的厚度為200nm至500nm。

10.如權(quán)利要求1所述的全息雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：在所述遮擋A光柵區(qū)或遮擋B光柵區(qū)時(shí)，使用的遮擋物為一條紋板。