[發明專利]一種Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201110318546.8 | 申請日： | 2011-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN102503547A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 石慧;郁可;朱自強 | 申請（專利權）人： | 華東師范大學 |
| 主分類號： | C04B41/50 | 分類號： | C04B41/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董紅曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cu sub 多孔 微米 納米 立方體 半導體材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料，其特征在于，包括硅片襯底和沉積在所述硅片襯底表面的微米/納米立方體結構Cu2O晶體。
2.根據權利要求1所述Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料，其特征在于，所述的微米/納米立方體結構Cu2O晶體包括立方體結構和生長在所述立方體結構表面的納米級分支；其中，所述納米級分支沿著<110>方向且垂直于所述立方體結構的邊界生長。
3.根據權利要求1所述Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料，其特征在于，所述立方體結構的邊界長為3-5μm，所述納米級分支的長度為10nm-1μm。
4.一種如權利要求1-3中任意一項權利要求所述Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料的制備方法，其特征在于，包括：
步驟a、將無水乙醇和水混合作為溶劑，加入Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯，攪拌均勻得到待反應液；
步驟b、將硅片水平放置在反應釜底部，緩緩加入所述待反應液；
步驟c、將所述反應釜密封，于160-190℃下反應2.5-3小時；?
步驟d、取出硅片，于60-70℃下烘干，得到所述Cu2O多孔微米/納米立方體的半導體材料。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a中無水乙醇和水的比例為1：2-2：7，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯的加入量摩爾比為1：3-1：4；其中，Cu(CH3COO)2·H2O粉末的加入量為25±2.5mM/100mL溶劑。
6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯均為分析純。
7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述反應釜為100mL容量的特氟龍反應釜。
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