[發明專利]一種平面結構型超高壓二極管芯片

有效

• 申請號: 201110318248.9
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102354703A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 汪良恩;裘立強;謝盛達;葛宜威
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種平面結構型超高壓二極管芯片，所述芯片本體呈薄片狀，芯片本體上部設有主結和頂面電極，芯片本體下部設有襯底和底面電極，其特征在于，在所述主結外圈還設有至少兩圈場限環；在最外圈場限環的外部還設有一圈截止環；

所述至少兩圈場限環的頂面高度與所述主結頂面高度一致，所述至少兩圈場限環的深度與所述主結的深度一致；

所述截止環的頂面高度與所述主結的頂面高度一致。

2.根據權利要求1所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，所述截止環處于所述芯片本體的頂面邊緣、且其軸向截面呈L形，截止環截面高度為所述主結深度的1.2-2.5倍。

3.根據權利要求2所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，在所述L形截止環的內直角缺口內還設有一圈環形電極，所述環形電極截面尺寸小于所述內直角缺口的尺寸。

4.根據權利要求1所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，所述場限環為3-5圈。

5.根據權利要求4所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，所述各圈場限環的寬度不等。

6.根據權利要求4所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，所述各圈場限環之間的間隙寬度不等。

7.根據權利要求1-6中任一所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，在所述截止環頂面邊緣向內1/5-1/2的頂面寬度尺寸為起點至所述主結頂面邊緣向內1/50-1/20的頂面直徑尺寸為終點的范圍內設有組合鈍化保護層；所述組合鈍化保護層覆蓋：所述截止環頂面起點內的部分、最外圈場限環至截止環之間的間隙、各場限環頂面、各場限環之間的間隙、最內圈場限環至主結外圓之間的間隙以及所述主結終點外的部分。

8.根據權利要求7所述的一種平面結構型超高壓二極管芯片，其特征在于，所述組合鈍化保護層由內及表包括半絕緣多晶硅薄膜層、鈍化玻璃層和二氧化硅膜層。